IRLR7821是一款由英飞凌(Infineon)生产的逻辑电平N沟道增强型MOSFET。该器件采用Trench工艺制造,具有极低的导通电阻和快速开关特性,适用于高效能电源转换应用。其设计旨在满足高效率、高密度功率转换系统的需求,广泛应用于DC-DC转换器、负载开关、电机驱动等场景。
该器件的封装形式为PBF-UDU,这是一种紧凑且散热性能良好的表面贴装封装。
最大漏源电压(Vds):30V
最大栅源电压(Vgs):±20V
连续漏极电流(Id):98A
导通电阻(Rds(on)):1.6mΩ (在Vgs=10V时)
总功耗(Ptot):124W
结温范围(Tj):-55°C至175°C
栅极电荷(Qg):17nC
反向恢复时间(trr):88ns
IRLR7821以其卓越的性能成为众多高效功率转换应用的理想选择。以下是其主要特性:
1. 极低的导通电阻(Rds(on)),可显著降低传导损耗,提高整体效率。
2. 快速开关能力,使得其非常适合高频开关应用,例如DC-DC转换器和同步整流电路。
3. 低栅极电荷和反向恢复电荷,有助于减少开关损耗。
4. 高雪崩能力,提供更强的可靠性以应对异常情况下的能量冲击。
5. 工作温度范围宽广,能够在极端环境下稳定运行。
6. 符合RoHS标准,环保且适合现代绿色电子设计需求。
IRLR7821适用于多种高效功率转换和控制场景,包括但不限于以下领域:
1. DC-DC转换器中的主开关或同步整流开关。
2. 负载开关,用于笔记本电脑、服务器和其他便携式设备。
3. 电机驱动,如无刷直流电机(BLDC)控制器。
4. 电池保护和管理电路。
5. 开关电源(SMPS)中的功率级元件。
6. 光伏逆变器和电动车辆的功率模块组件。
IRL3803,
IRF7846,
STP10NK60Z,
FDP5500