时间：2025/7/4 4:21:09
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IRLR6225TRPBF是一款由英飞凌（Infineon）制造的N沟道增强型MOSFET。该器件采用逻辑电平驱动设计，具有较低的导通电阻和较高的开关速度，适用于高效能电源管理、DC-DC转换器、电机驱动以及负载开关等应用领域。
其封装形式为TO-252 (DPAK)，能够提供出色的散热性能，并支持表面贴装工艺，方便在现代电路板上使用。
最大漏源电压：30V
最大栅源电压：±12V
连续漏极电流：48A
导通电阻（Rds(on)）：1.5mΩ（典型值，当Vgs=10V时）
栅极电荷：29nC（典型值）
输入电容：1440pF（典型值）
开关时间：开启延迟时间10ns，关断下降时间17ns
工作结温范围：-55℃至+175℃
IRLR6225TRPBF具备非常低的导通电阻，有助于减少传导损耗并提高整体效率。此外，它还拥有快速的开关速度，这对于高频开关应用非常重要。
由于采用了逻辑电平驱动设计，该MOSFET可以直接与微控制器或其他逻辑器件接口，无需额外的驱动电路。同时，其高电流承载能力和耐热性使其适合于多种工业和消费类电子产品中使用。
该器件还具有良好的雪崩能力和ESD保护性能，增强了其在实际应用中的可靠性和稳定性。
IRLR6225TRPBF广泛应用于需要高效功率切换的各种场景，包括但不限于以下领域：
- 开关模式电源(SMPS)中的同步整流
- DC-DC转换器的核心开关元件
- 电动工具及家用电器中的电机驱动
- 计算机及服务器的多相电压调节模块(VRM)
- 各种类型的负载开关和保护电路
总之，任何需要高性能功率切换的应用都可以考虑使用该MOSFET。
IRLR6224TRPBF, IRLR6226TRPBF
