类型：N沟道
　　漏源电压（VDS）：30V
　　连续漏极电流（ID）：12A
　　脉冲漏极电流（IDM）：48A
　　栅源电压（VGS）：±20V
　　导通电阻RDS(on) max @ VGS = 10V：2.8mΩ
　　导通电阻RDS(on) max @ VGS = 4.5V：4.2mΩ
　　导通电阻RDS(on) max @ VGS = 2.5V：6.0mΩ
　　阈值电压（Vth）：典型值1.7V，范围1.2V~2.3V
　　输入电容（Ciss）：典型值920pF @ VDS=15V, VGS=0V
　　输出电容（Coss）：典型值280pF @ VDS=15V, VGS=0V
　　反向恢复时间（trr）：典型值12ns
　　二极管正向电压（VSD）：典型值1.1V @ IS=12A
　　功率耗散（PD）：2.0W（TC=25°C）
　　工作结温范围（TJ）：-55°C ~ +150°C
　　封装形式：DirectFET (SMD)
　　安装类型：表面贴装

IRLR4343TRPBF采用了Infineon成熟的沟槽式MOSFET工艺，这种结构通过在硅片上刻蚀出垂直的沟槽并形成栅极，显著增加了单位面积内的沟道数量，从而有效降低了导通电阻RDS(on)，提升了器件的电流承载能力。该器件在VGS=10V时，RDS(on)最大仅为2.8mΩ，在同类30V N沟道MOSFET中处于领先水平，这使得它在大电流应用中能够大幅减少导通损耗，提高电源系统的整体效率。尤其在电池供电设备中，低RDS(on)意味着更少的能量以热量形式消耗，延长了设备续航时间。
　　该MOSFET还表现出优异的动态特性。其输入电容Ciss典型值为920pF，输出电容Coss为280pF，这些较低的寄生电容值有助于降低栅极驱动功率需求，并加快开关速度，减少开关过程中的能量损耗。这对于高频开关电源（如多相VRM、同步降压转换器）尤为重要，因为高频操作可以减小外围电感和电容的尺寸，进一步实现系统小型化。此外，较低的电容也减少了米勒效应的影响，增强了器件在高速开关下的稳定性。
　　IRLR4343TRPBF采用DirectFET封装，这是一种顶部散热的金属封装技术，能够通过PCB上的热焊盘高效地将热量传导出去，相比传统塑料封装具有更优的热阻性能。其热阻RθJC（结到外壳）低至1.5°C/W，确保在高负载条件下仍能保持较低的工作温度，提升了长期运行的可靠性。DirectFET封装还具备低寄生电感的特点，有助于抑制开关过程中的电压尖峰和振荡，改善EMI性能。
　　该器件具备良好的栅极耐压能力，支持±20V的栅源电压，增强了对栅极驱动电路异常（如电压过冲）的容忍度。其阈值电压典型值为1.7V，可在低电压逻辑信号（如3.3V或5V驱动）下实现充分导通，适用于现代低压控制环境。同时，内置的体二极管具有较快的反向恢复时间（trr典型值12ns），减少了在续流过程中产生的反向恢复电荷，降低了由此引发的开关损耗和电磁干扰，特别适合用于同步整流等需要频繁换向的应用场景。

IRLR4343TRPBF广泛应用于各类高性能电源管理系统中。在笔记本电脑和平板电脑的主板上，常用于CPU核心电压调节模块（VRM）或多相降压变换器中作为下管（synchronous rectifier），利用其低RDS(on)和快速开关特性实现高效率的能量转换，满足处理器对动态响应和能效的严苛要求。在服务器和通信设备的DC-DC电源中，该器件可用于中间母线转换器或POL（Point-of-Load）稳压器，提供稳定的低压大电流输出，支持高密度计算和网络处理单元的供电需求。
　　此外，该MOSFET适用于电池供电系统，例如电动工具、无人机、便携式医疗设备等，其中电源效率和热管理至关重要。在这些应用中，IRLR4343TRPBF可作为负载开关或电池保护电路的一部分，实现对负载的快速通断控制或防止反向电流流动。其小型DirectFET封装也有助于节省空间，适应紧凑型产品设计。
　　在电机驱动领域，尤其是直流无刷电机（BLDC）或步进电机的H桥驱动电路中，该器件可用于低端或全桥开关，凭借其高电流能力和良好热性能，支持持续运行和高峰值负载。同时，在LED照明驱动、热插拔控制器、USB电源开关等需要高效、可靠开关元件的场合，IRLR4343TRPBF也是一个理想选择。其宽泛的工作温度范围（-55°C至+150°C）使其能够在工业级和汽车级环境中稳定运行，具备较强的环境适应性。

IRLR4343PBF
　　IRLHS4343
　　SiR434DP
　　AO4343