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UMH7NTR 发布时间 时间:2025/12/23 22:35:15 查看 阅读:13

UMH7NTR 是一款 N 沣道晶体管(N-Channel MOSFET),广泛应用于开关电源、电机驱动、负载开关等场景。该器件采用 TO-252 封装,具有低导通电阻和高效率的特性,能够有效降低功率损耗并提高系统性能。
  UMH7NTR 的主要功能是作为电子开关或放大器使用,适合要求高效能与低功耗的应用场合。

参数

最大漏源电压:60V
  最大栅源电压:±20V
  持续漏极电流:7A
  导通电阻:40mΩ
  栅极电荷:13nC
  开关速度:快速开关
  封装形式:TO-252

特性

1. 低导通电阻(Rds(on)):40mΩ,确保较低的传导损耗。
  2. 快速开关能力:具备较小的栅极电荷,有助于实现高频开关应用。
  3. 高电流处理能力:支持高达 7A 的持续漏极电流。
  4. 小型封装:TO-252 封装使其易于集成到紧凑型设计中。
  5. 热稳定性强:在高温环境下仍能保持稳定的性能表现。
  6. ESD 防护增强:提高了器件在静电环境下的可靠性。

应用

1. 开关电源中的同步整流器
  2. 电机驱动电路中的功率开关
  3. 负载开关及保护电路
  4. DC/DC 转换器中的功率开关
  5. 各类电池管理系统中的开关元件
  6. 逆变器和 UPS 系统中的功率转换模块

替代型号

IRF740, FQP18N06, STP7NK60Z

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UMH7NTR参数

  • 标准包装3,000
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭晶体管(BJT) - 阵列﹐预偏压式
  • 系列-
  • 晶体管类型2 个 NPN 预偏压式(双)
  • 电流 - 集电极 (Ic)(最大)100mA
  • 电压 - 集电极发射极击穿(最大)50V
  • 电阻器 - 基极 (R1)(欧)4.7k
  • 电阻器 - 发射极 (R2)(欧)-
  • 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE)100 @ 1mA,5V
  • Ib、Ic条件下的Vce饱和度(最大)300mV @ 250µA,5mA
  • 电流 - 集电极截止(最大)-
  • 频率 - 转换-
  • 功率 - 最大150mW
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳6-TSSOP,SC-88,SOT-363
  • 供应商设备封装UMT6
  • 包装带卷 (TR)