时间：2025/6/16 19:47:07
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IRLR3715ZCTRLPBF 是一款由英飞凌（Infineon）生产的N沟道逻辑电平增强型MOSFET。该器件采用Pb-Free封装，符合RoHS标准，适用于要求高效率和低导通电阻的应用场景。其小型化的封装设计使得它非常适合于空间受限的电子设备中。此外，该器件具备较低的栅极电荷和快速开关特性，能够显著提升电源转换效率。
最大漏源电压：30V
连续漏极电流：42A
导通电阻（Rds(on)）：2.5mΩ
栅极电荷：36nC
工作结温范围：-55℃ to 175℃
封装类型：TO-Leadless
IRLR3715ZCTRLPBF 具有非常低的导通电阻，这使其在高功率应用场合下表现尤为出色，能有效降低传导损耗。同时，其快速的开关速度有助于减少开关损耗，提高系统整体效率。
该器件采用了先进的工艺技术制造，确保了良好的热稳定性和可靠性。其逻辑电平驱动能力可以与常见的微控制器或数字信号处理器直接接口，无需额外的驱动电路，从而简化了设计并降低了成本。
另外，由于其具备较高的雪崩能量能力，在异常条件下也可以提供一定的保护功能。
这款MOSFET广泛应用于DC-DC转换器、电机驱动、电池管理、太阳能逆变器以及消费类电子产品的开关电源等场合。特别是在需要高效能、高可靠性的工业控制和汽车电子领域中，IRLR3715ZCTRLPBF 是一个理想的选择。
IRLR3714, IRLR3813
