类型：N沟道MOSFET
　　最大漏极电流（ID）：115A（在25°C时）
　　最大漏源电压（VDS）：55V
　　导通电阻（RDS(on)）：典型值为3.5mΩ（在VGS=10V时）
　　栅极电荷（Qg）：约72nC
　　工作温度范围：-55°C至175°C

BUK9Y19-55B具有多个关键特性，使其在各种高功率应用中表现出色。首先，该MOSFET采用了先进的Trench技术，使其在低导通电阻方面表现出色，从而降低了导通损耗并提高了整体效率。此外，其RDS(on)在高温下仍然保持稳定，有助于维持系统在高负载条件下的性能。
　　该器件的高电流承载能力（高达115A）允许其在高功率密度设计中使用，适用于紧凑型电源系统，如汽车启动系统、DC-DC转换器和电机控制电路。同时，其55V的漏源耐压能力使其适用于48V电源系统，这在当前的工业和通信设备中越来越常见。
　　另一个显著特性是其优异的热性能，能够有效散热，从而提高器件的稳定性和可靠性。该MOSFET的封装设计优化了热阻，确保在持续高负载运行时仍能保持较低的结温。此外，它具有较高的雪崩能量耐受能力，有助于防止在开关过程中因电压尖峰导致的损坏，从而增强系统的鲁棒性。
　　BUK9Y19-55B还具备良好的栅极驱动兼容性，适合使用标准的10V栅极驱动器进行控制。其低栅极电荷（Qg）有助于减少开关损耗，提高系统的开关速度和效率。

BUK9Y19-55B广泛应用于多种高功率电子系统中，尤其适合汽车电子领域。例如，在汽车启动系统、电机驱动器、电池管理系统（BMS）和48V轻混动力系统中，该MOSFET可提供高效的功率切换和负载管理。此外，它也适用于工业自动化设备中的电源模块、直流马达控制器以及高效率的DC-DC转换器。
　　由于其优异的导通性能和热管理能力，BUK9Y19-55B也常用于高密度电源供应器、负载开关、热插拔电路和不间断电源（UPS）等应用场景。在通信基础设施中，如服务器电源和电信设备的电源管理系统中，该器件同样表现出色，能够提供稳定的功率输出并减少能量损耗。

SiHH115N55DS, Infineon OptiMOS 5 55V系列（如BSC115N55NS）