IRLR3636 时间：2025/12/26 18:29:00 阅读：16

IRLR3636是一款由Infineon Technologies（英飞凌科技）生产的N沟道功率MOSFET，广泛应用于电源管理和功率转换领域。该器件采用先进的沟槽栅极和硅技术，旨在提供卓越的性能和可靠性，特别适用于高效率、高密度的开关电源设计。IRLR3636具有低导通电阻（RDS(on)）、高电流处理能力和优良的热性能，使其成为DC-DC转换器、同步整流、电机驱动以及电池供电设备中的理想选择。其封装形式为DirectFET，这种表面贴装封装具备出色的散热性能和低寄生电感，有助于提升高频开关应用中的整体系统效率。此外，该MOSFET还具备良好的抗雪崩能力和稳健的栅极氧化层设计，能够在严苛的工作环境下稳定运行。IRLR3636常用于服务器电源、电信设备、笔记本电脑适配器以及其他高性能电源系统中，满足现代电子设备对节能和小型化的严格要求。

参数

型号：IRLR3636
　　制造商：Infineon Technologies
　　器件类型：N沟道MOSFET
　　最大漏源电压（VDS）：30V
　　最大连续漏极电流（ID）@25°C：110A
　　最大脉冲漏极电流（IDM）：390A
　　最大栅源电压（VGS）：±20V
　　导通电阻（RDS(on)）@VGS=10V：4.8mΩ
　　导通电阻（RDS(on)）@VGS=4.5V：6.3mΩ
　　阈值电压（VGS(th)）典型值：1.7V
　　输入电容（Ciss）：3450pF
　　输出电容（Coss）：1050pF
　　反向恢复时间（trr）：29ns
　　最大功耗（PD）：116W
　　工作结温范围（TJ）：-55°C 至 +150°C
　　封装类型：DirectFET (SMD)
　　引脚数：4

特性

IRLR3636凭借其先进的沟槽型MOSFET结构，在低电压大电流应用中表现出色。其核心优势之一是极低的导通电阻，在VGS = 10V时，RDS(on)仅为4.8mΩ，这显著降低了导通损耗，提高了电源系统的整体效率。在高频率开关应用如同步降压变换器中，这一特性尤为重要，能够有效减少发热并提升能效。此外，该器件在较低的栅极驱动电压（如4.5V）下仍能保持较低的导通电阻（6.3mΩ），使其兼容于现代低压控制逻辑，例如由数字控制器或PWM IC直接驱动的应用场景。
　　该MOSFET采用DirectFET封装，这是一种顶部散热的表面贴装封装技术，能够通过PCB上的金属焊盘高效地将热量传导至散热平面，从而实现优异的热管理性能。相比传统的TO-220或D-Pak封装，DirectFET显著减小了封装体积，同时降低了引线电感，有助于抑制开关过程中的电压尖峰和电磁干扰（EMI），提升系统稳定性。其低输入和输出电容（Ciss = 3450pF, Coss = 1050pF）也进一步优化了开关速度，减少了开关损耗。
　　IRLR3636具备高达110A的连续漏极电流能力（在25°C下），并可在短时间内承受高达390A的脉冲电流，适合应对瞬态负载变化。其栅极阈值电压典型值为1.7V，确保在启动阶段能够快速开启。器件经过优化设计，具备良好的体二极管反向恢复特性（trr = 29ns），减少了在硬开关应用中因反向恢复引起的能量损耗。此外，该器件符合RoHS环保标准，并具备高可靠性，适用于工业级和商业级应用场景。

应用

IRLR3636广泛应用于需要高效、高电流密度功率开关的场合。典型应用包括同步整流式DC-DC降压转换器，尤其是在服务器主板、VRM（电压调节模块）和CPU/GPU供电系统中，作为下管或上管使用。其低导通电阻和高电流能力使其非常适合用于笔记本电脑、台式机和工作站的电源管理单元。此外，该器件也常用于电池充电电路、便携式电源设备、电动工具以及LED驱动电源中。
　　在电信基础设施设备中，如基站电源和网络交换机，IRLR3636可用于多相供电架构，以支持高功率数字信号处理器和FPGA的供电需求。其DirectFET封装的小尺寸和高效散热特性，有助于在紧凑空间内实现高功率密度设计。该器件还可用于电机控制应用，如无人机电调、小型直流电机驱动器等，提供快速响应和低损耗的开关性能。由于其具备良好的热稳定性和电气特性，IRLR3636也被广泛用于各类工业电源、UPS不间断电源和DC/AC逆变器中，作为核心功率开关元件。