类型：N 沟道增强型 MOSFET
　　最大漏源电压 Vds：30V
　　最大栅源电压 Vgs：±20V
　　最大连续漏极电流 Id（@25°C）：120A
　　最大导通电阻 Rds(on)（@Vgs=10V）：4.7mΩ
　　最大导通电阻 Rds(on)（@Vgs=4.5V）：6.7mΩ
　　最大耗散功率 Pd：98W
　　工作温度范围：-55°C ~ +175°C
　　封装形式：PowerPAK SO-8
　　漏源击穿电压 BVdss：30V
　　栅极电荷 Qg：50nC
　　漏源电容 Coss：1320pF

IRLR2908TRR MOSFET 具备多项卓越特性，确保其在高要求的功率应用中表现优异。首先，其超低导通电阻（Rds(on)）在 4.7mΩ 至 6.7mΩ 之间，显著降低了导通损耗，提高了系统效率。其次，该器件采用了 Infineon 的沟槽技术，提供更佳的热管理和更高的电流密度，使其能够在高负载条件下稳定运行。
　　该 MOSFET 支持高达 120A 的连续漏极电流，在高功率应用中提供了出色的电流承载能力。同时，其高栅极电荷（Qg）为 50nC，保证了在高频开关应用中的稳定性和可控性，适用于高效率的 DC-DC 转换器和同步整流器。
　　IRLR2908TRR 的 PowerPAK SO-8 封装设计不仅节省了 PCB 空间，还具有优异的热性能，有助于散热和提高可靠性。该封装形式适合表面贴装工艺，提升了生产效率和焊接可靠性。
　　此外，该 MOSFET 在 -55°C 至 +175°C 的宽温度范围内运行，适应各种严苛的工作环境。其漏源击穿电压为 30V，确保在高压条件下的稳定工作。漏源电容（Coss）为 1320pF，有助于减少高频应用中的开关损耗。
　　该器件的高可靠性设计使其在汽车电子、工业自动化、电源管理系统等领域中表现出色。例如，在电动车电池管理系统（BMS）中，IRLR2908TRR 可用于高精度的充放电控制，提供高效的能量转换。

IRLR2908TRR 广泛应用于多个高性能功率电子领域。在电源管理模块中，它常用于 DC-DC 转换器、负载开关和稳压电路，以实现高效的能量转换和管理。在电机控制系统中，该 MOSFET 可用于 H 桥驱动电路，实现电机的正反转控制和制动功能。
　　在电池管理系统（BMS）中，IRLR2908TRR 可用于电池充放电控制电路，提供高效率的能量传输和保护机制。此外，它还可用于 LED 照明驱动器、电源适配器和 UPS（不间断电源）系统中，以提升整体系统的效率和可靠性。
　　在汽车电子应用中，该 MOSFET 常用于车用电源系统、车载充电器、电动助力转向系统（EPS）以及电池管理系统（BMS）。由于其高可靠性和宽工作温度范围，非常适合在车载环境中使用。
　　在工业自动化和智能控制系统中，IRLR2908TRR 可用于伺服电机驱动、PLC 控制模块和工业电源设备，提供稳定的功率控制和高效的能量管理。

IRLR2908PBF, IRLR2908TR1PBF, Si4410DY, FDS4410A