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1N5711 发布时间 时间:2023/7/18 18:04:39 查看 阅读:887

描述

1N5711金属硅结二极管具有高击穿、低导通电压和超快开关特性。主要用于具有宽动态范围的高级UHFVHF检测和脉冲应用。可应要求提供匹配的批次。

产品概述

产品型号

1N5711

描述

射频二极管肖特基70V 430MW DO35

分类

分立半导体产品,二极管-RF

制造商

STMicroelectronics

打包

切割带(CT)

工作温度

-65°C?200°C(TJ)

包装/箱

DO-204AH,DO-35,轴向

供应商设备包装

DO-35

基本零件号

1N57

产品图片

1N5711

1N5711

规格参数

零件状态

活性

击穿电压

70伏

触头电镀

锡,哑光

目前评级

15毫安

直径

2毫米

元素配置

正向电流

15毫安

正向电压

1伏

高度

2毫米

长度

4.5毫米

最大额定电流

15毫安

最高工作温度

200℃

最低工作温度

-65℃

最大耗散功率

430兆瓦

最大重复反向电压(Vrrm)

70伏

最大反向电流

200nA

最大反向漏电流

200nA

安装

通孔

针数

2

输出电流

15毫安

外径

1.93毫米

包装数量

1个

打包

卷带式

极性

标准

功耗

430兆瓦

反向恢复时间

100ps

反向电压(直流)

70伏

终止

轴向的

额定电压(直流)

70伏

重量

0.01磅

宽度

2毫米

环境与出口分类

RoHS状态

符合ROHS3

水分敏感性水平(MSL)

1(无限制)

特点

  • 高故障

  • 低开启电压

  • 超快速切换

引脚图

封装

1N5711封装

1N5711封装

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1N5711图片

1N5711

1N5711参数

  • 数据列表1N5711/12, 5082-2800 Series
  • 产品变化通告Product Obsolescence Notification 16/Aug/2010
  • 标准包装100
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭RF 二极管
  • 系列-
  • 二极管类型肖特基 - 单
  • 电压 - 峰值反向(最大)70V
  • 电流 - 最大15mA
  • 电容@ Vr, F2pF @ 0V,1MHz
  • 电阻@ Vr, F-
  • 功率耗散(最大)250mW
  • 封装/外壳DO-204AH,DO-35,轴向
  • 供应商设备封装-
  • 包装散装
  • 其它名称ATI1N5711