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IRLR2705TRPBF 发布时间 时间:2025/6/19 1:47:21 查看 阅读:2

IRLR2705TRPBF 是一款由英飞凌(Infineon)生产的 N 沯道增强型 MOSFET。这款器件采用了先进的沟槽式技术,具有低导通电阻和高开关速度的特性,非常适合用于需要高效能和低功耗的应用场景。
  该芯片主要应用于电机驱动、DC-DC 转换器、负载切换等电路中,其卓越的电气性能使其成为众多设计工程师的理想选择。

参数

最大漏源电压:30V
  连续漏极电流:18A
  导通电阻:1.5mΩ
  栅极电荷:40nC
  总电容:920pF
  工作温度范围:-55℃ 至 175℃

特性

IRLR2705TRPBF 具有非常低的导通电阻,仅为 1.5mΩ,这使得它在大电流应用中能够显著降低功耗。此外,其快速的开关速度减少了开关损耗,从而提高了整体效率。
  器件采用 TO-252-3 封装形式,有助于实现紧凑的设计布局。同时,由于具备高达 175℃ 的结温能力,该 MOSFET 在高温环境下仍能保持稳定运行。
  其出色的热性能和电气性能使得 IRLR2705TRPBF 成为许多功率转换和电机控制应用中的首选元件。
  

应用

IRLR2705TRPBF 广泛应用于多种电力电子领域,包括但不限于以下方面:
  1. 开关电源 (SMPS) 和 DC-DC 转换器
  2. 电机驱动和控制
  3. 电池管理系统 (BMS)
  4. 工业自动化设备
  5. 汽车电子系统中的负载切换
  6. 各类消费电子产品中的功率管理单元
  

替代型号

IRLR2804TRPBF, IRLR2905TRPBF

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IRLR2705TRPBF参数

  • 标准包装2,000
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 单
  • 系列HEXFET®
  • FET 型MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET 特点逻辑电平门
  • 漏极至源极电压(Vdss)55V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C28A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C40 毫欧 @ 17A,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)2V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs25nC @ 5V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds880pF @ 25V
  • 功率 - 最大68W
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63
  • 供应商设备封装D-Pak
  • 包装带卷 (TR)
  • 其它名称IRLR2705PBFTRIRLR2705TRPBF-NDIRLR2705TRPBFTR-ND