IRLR2705TRPBF 是一款由英飞凌(Infineon)生产的 N 沯道增强型 MOSFET。这款器件采用了先进的沟槽式技术,具有低导通电阻和高开关速度的特性,非常适合用于需要高效能和低功耗的应用场景。
该芯片主要应用于电机驱动、DC-DC 转换器、负载切换等电路中,其卓越的电气性能使其成为众多设计工程师的理想选择。
最大漏源电压:30V
连续漏极电流:18A
导通电阻:1.5mΩ
栅极电荷:40nC
总电容:920pF
工作温度范围:-55℃ 至 175℃
IRLR2705TRPBF 具有非常低的导通电阻,仅为 1.5mΩ,这使得它在大电流应用中能够显著降低功耗。此外,其快速的开关速度减少了开关损耗,从而提高了整体效率。
器件采用 TO-252-3 封装形式,有助于实现紧凑的设计布局。同时,由于具备高达 175℃ 的结温能力,该 MOSFET 在高温环境下仍能保持稳定运行。
其出色的热性能和电气性能使得 IRLR2705TRPBF 成为许多功率转换和电机控制应用中的首选元件。
IRLR2705TRPBF 广泛应用于多种电力电子领域,包括但不限于以下方面:
1. 开关电源 (SMPS) 和 DC-DC 转换器
2. 电机驱动和控制
3. 电池管理系统 (BMS)
4. 工业自动化设备
5. 汽车电子系统中的负载切换
6. 各类消费电子产品中的功率管理单元
IRLR2804TRPBF, IRLR2905TRPBF