TISP4200M3BJ 是由 STMicroelectronics(意法半导体)生产的一款双向电压抑制二极管(TVS,Transient Voltage Suppressor),专为保护敏感的电子电路免受静电放电(ESD)、浪涌和瞬态电压等瞬态干扰而设计。该器件采用先进的硅雪崩二极管技术,具备快速响应时间和高可靠性,广泛应用于通信设备、工业控制系统和消费类电子产品中。
类型:双向TVS二极管
最大反向工作电压(VRWM):220V
击穿电压(VBR):244V ~ 270V
最大钳位电压(VC @ IPP):370V @ 1A
最大峰值脉冲电流(IPP):1A
响应时间(tR):<1ps
封装形式:SOD-323
工作温度范围:-55°C ~ +150°C
TISP4200M3BJ 的设计使其在面对高能瞬态干扰时具有出色的保护性能。其双向特性允许该器件在正负两个方向上提供对称的电压钳位保护,非常适合用于交流信号线路或差分信号线路的保护。该器件采用了先进的硅雪崩技术,具有非常低的漏电流,在正常工作条件下几乎不会对系统造成影响。此外,其快速响应时间确保了在发生瞬态事件时能够迅速将电压限制在安全范围内,从而保护后端电路免受损坏。TISP4200M3BJ 还具备良好的热稳定性和长期可靠性,能够在恶劣的工业环境和高湿度条件下稳定运行。
另一个显著特点是其紧凑的SOD-323封装,使得该器件非常适合在空间受限的应用中使用,例如便携式电子设备、通信模块和传感器接口等。同时,这种封装形式也便于表面贴装工艺(SMT),提高了生产效率和装配的可靠性。
此外,TISP4200M3BJ 的电气参数经过严格设计,能够在不影响电路正常工作的情况下提供高水平的保护,确保设备在面对如IEC 61000-4-2规定的静电放电事件时仍能保持稳定运行。
TISP4200M3BJ 主要用于需要高可靠性保护的电子设备中,常见应用包括通信设备(如以太网接口、电话交换设备)、工业控制系统(如PLC、传感器模块)、消费类电子产品(如智能手机、平板电脑)以及汽车电子系统(如车载娱乐系统、车身控制模块)。该器件特别适合用于保护高速数据线路、电源线路和信号接口,防止由于静电放电或雷击浪涌引起的损坏。在通信系统中,TISP4200M3BJ 可用于保护以太网端口、USB接口和HDMI线路;在工业控制设备中,它可以用于保护PLC输入输出端口和现场总线接口;在消费类电子产品中,该器件常用于保护充电接口、音频接口和数据传输线路。
PESD5V0S1BA; TPD1E10B09