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IRLR2703PBF 发布时间 时间:2025/6/28 20:09:45 查看 阅读:6

IRLR2703PBF是国际整流器公司(International Rectifier,已被Infineon收购)生产的一款N沟道逻辑电平MOSFET。这款器件主要设计用于需要低导通电阻和快速开关的应用场合。它采用SO-8封装形式,具有较小的外形尺寸和良好的散热性能,适合于高频开关电源、电机驱动、DC-DC转换器以及其他功率管理应用。

参数

最大漏源电压:30V
  最大栅源电压:±12V
  连续漏极电流:9.2A
  导通电阻(典型值,在Vgs=10V时):6mΩ
  总栅极电荷:8nC
  输入电容:150pF
  工作温度范围:-55℃至175℃

特性

IRLR2703PBF是一款专为高效功率转换而优化的MOSFET。
  其低导通电阻能够显著减少传导损耗,从而提高系统的整体效率。
  此外,该器件具备较低的栅极电荷,有助于实现更快的开关速度和更少的开关损耗。
  它的逻辑电平驱动特性使得可以直接与标准CMOS或TTL逻辑电路配合使用,无需额外的驱动电路。
  IRLR2703PBF还支持高达175℃的工作结温,这使其非常适合高温环境下的应用。
  此外,该器件符合RoHS标准,满足环保要求。

应用

IRLR2703PBF广泛应用于各种功率电子领域,包括但不限于:
  1. 开关电源(SMPS),如AC-DC适配器、PC电源等。
  2. 电机驱动,例如步进电机、无刷直流电机控制。
  3. DC-DC转换器,涵盖降压、升压及反激拓扑。
  4. LED驱动电路,用于大功率LED照明。
  5. 电池管理系统(BMS),负责充放电保护与能量分配。
  6. 各种负载开关和保护电路。
  由于其高效率和紧凑的封装,IRLR2703PBF特别适用于便携式设备和空间受限的设计。

替代型号

IRLZ44N, IRLR8843, AO3400A

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IRLR2703PBF参数

  • 标准包装75
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 单
  • 系列HEXFET®
  • FET 型MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET 特点逻辑电平门
  • 漏极至源极电压(Vdss)30V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C23A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C45 毫欧 @ 14A,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)1V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs15nC @ 4.5V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds450pF @ 25V
  • 功率 - 最大45W
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63
  • 供应商设备封装D-Pak
  • 包装管件