IRLR130 时间：2025/8/24 23:05:29 阅读：5

IRLR130 是一款由 Infineon Technologies（英飞凌）推出的 N 沟道功率 MOSFET，广泛用于各种电源管理与功率控制应用。该器件采用了先进的沟槽技术，提供低导通电阻和高效率，适用于 DC-DC 转换器、负载开关、电机控制、电池供电设备等。IRLR130 采用小型化的表面贴装封装（如 SO-8），适合高密度电路设计。

参数

类型：N 沟道 MOSFET
　　漏源电压（Vds）：20V
　　栅源电压（Vgs）：±12V
　　连续漏极电流（Id）：1.4A
　　导通电阻（Rds(on)）：0.15Ω（典型值）
　　功率耗散（Pd）：1.4W
　　工作温度范围：-55°C 至 150°C
　　封装形式：SO-8

特性

IRLR130 具备多项优良特性，适用于各种中低功率应用场景。其主要特点包括：
　　1. **低导通电阻（Rds(on)）**：典型值为 0.15Ω，有助于降低导通损耗，提高系统效率。
　　2. **高集成度与小型封装**：采用 SO-8 封装，体积小，适合高密度 PCB 设计，尤其适用于空间受限的便携设备。
　　3. **良好的热稳定性**：在高负载条件下仍能保持稳定运行，具备较好的热保护性能。
　　4. **快速开关特性**：具有较低的栅极电荷（Qg），可实现快速开关，减少开关损耗，适用于高频应用。
　　5. **宽工作温度范围**：支持 -55°C 至 150°C 的温度范围，适应各种恶劣环境条件。
　　6. **高可靠性**：采用成熟的沟槽 MOSFET 技术，确保器件在长时间运行中保持稳定性能。
　　7. **易于驱动**：栅极驱动电压范围宽，可与标准逻辑电平兼容，便于与控制器配合使用。

应用

IRLR130 被广泛应用于多个领域，主要包括：
　　1. **电源管理系统**：如 DC-DC 转换器、负载开关、电池充电电路等。
　　2. **消费类电子产品**：包括智能手机、平板电脑、笔记本电脑等便携设备中的电源管理模块。
　　3. **工业控制系统**：用于小型电机控制、传感器电源开关、继电器替代等场合。
　　4. **通信设备**：如网络路由器、调制解调器中的电源调节电路。
　　5. **汽车电子**：适用于车载充电器、车身控制模块等低功率应用。
　　6. **LED 照明**：用于 LED 驱动电路中的开关元件，实现高效率照明控制。
　　7. **安全监控设备**：如摄像头、门禁系统等对体积和功耗有较高要求的安防产品。