11P-SAN 时间：2025/12/27 15:23:47 阅读：19

11P-SAN是一种光电耦合器（Optocoupler），属于光电器件的一种，广泛应用于需要电气隔离的电路中。该器件通过将输入侧的电信号转换为光信号，再在输出侧将光信号还原为电信号，从而实现输入与输出之间的电气隔离。这种隔离机制可以有效防止高压、噪声或接地环路对敏感电路部分造成干扰，提高系统的稳定性和安全性。11P-SAN通常采用DIP-4（双列直插4引脚）封装，适用于多种工业控制、电源管理及通信接口场景。其内部结构一般由一个红外发光二极管（LED）和一个光敏三极管组成，当输入端施加适当电流时，LED发光并触发光敏三极管导通，从而在输出端产生相应的电平变化。由于其响应速度适中、隔离电压高以及可靠性强等特点，11P-SAN被广泛用于开关电源反馈回路、微控制器I/O隔离、PLC输入模块等场合。
　　该型号可能由不同的制造商生产，具体参数会因厂商而异，但基本功能和引脚定义保持一致。使用时需注意输入侧LED的正向工作电流和反向耐压，以及输出侧光敏三极管的集电极-发射极耐压和最大负载能力。此外，长期工作条件下应考虑器件的老化特性，特别是LED光衰问题，这会影响光耦的电流传输比（CTR, Current Transfer Ratio），进而影响系统性能。因此，在设计电路时应留有足够的余量，并定期进行可靠性评估。

参数

类型：光电晶体管输出光耦
　　通道数：1
　　输入正向电压（VF）：1.2V @ 10mA
　　输出集电极-发射极电压（VCEO）：70V
　　输出发射极-集电极电压（VECO）：6V
　　集电极电流（IC）：50mA
　　隔离电压（Viso）：5000VRMS
　　工作温度范围：-55°C ~ 110°C
　　存储温度范围：-55°C ~ 125°C
　　最大功耗：150mW
　　电流传输比（CTR）：50% ~ 600% @ IF=5mA, VCE=5V
　　上升时间/下降时间：3μs / 3μs

特性

11P-SAN光电耦合器的核心特性之一是其优异的电气隔离性能，能够在输入和输出之间提供高达5000VRMS的隔离电压，有效阻断地线环路、抑制共模噪声，并保护低压控制电路免受高压侧故障的影响。这一特性使其非常适合应用于工业自动化控制系统、交流电源监控电路以及医疗设备等对安全要求较高的领域。此外，该器件具有较宽的工作温度范围（-55°C至110°C），可在极端环境条件下稳定运行，增强了其在户外设备或高温工业环境中的适用性。
　　另一个关键特性是其较高的电流传输比（CTR），典型值可达50%以上，在IF=5mA、VCE=5V条件下最高可达到600%。这意味着即使输入驱动电流较小，也能在输出端获得足够大的集电极电流，从而简化前级驱动电路的设计，降低功耗。同时，CTR的离散性较大，设计时需根据最坏情况选择合适的偏置电阻以保证系统稳定性。11P-SAN的响应时间约为3微秒，虽不及高速光耦（如6N137系列），但对于开关电源反馈、继电器驱动隔离、数字信号隔离等常规应用已完全满足需求。
　　该器件采用DIP-4封装，便于手工焊接和PCB布局，兼容传统波峰焊工艺，适合中小批量生产和维修替换。其引脚排列标准，易于与其他品牌型号互换。需要注意的是，光耦存在老化现象，尤其是LED随着使用时间延长会出现光强衰减，导致CTR下降。因此，在长期运行的应用中建议预留足够的CTR裕量，通常选取初始CTR的50%作为寿命末期的下限进行设计验证。此外，避免输入过流或反接损坏LED，推荐在输入端串联限流电阻，并可在必要时并联反向保护二极管以提升可靠性。

应用

11P-SAN光电耦合器广泛应用于需要电气隔离的各种电子系统中。常见用途包括开关电源中的反馈控制回路，用于将次级侧的电压调节信号传递到初级侧的PWM控制器，同时实现主电路与控制电路之间的高压隔离。在可编程逻辑控制器（PLC）中，它常被用作数字输入模块的前端隔离元件，将现场传感器信号与内部逻辑电路隔离开来，防止工业现场的浪涌、电磁干扰影响CPU正常工作。此外，在电机驱动器、逆变器和UPS电源系统中，11P-SAN可用于隔离控制信号与功率桥驱动电路，确保操作人员和设备的安全。
　　在通信接口方面，11P-SAN可用于RS-232、RS-485等串行通信线路的信号隔离，消除不同设备间的地电位差带来的干扰，提升通信稳定性。在微控制器系统中，常用于隔离GPIO信号，例如连接外部按钮、指示灯或继电器，以防止外部电路故障导致MCU损坏。该器件也适用于测试测量仪器、医疗电子设备以及智能电表等领域，满足安规认证（如UL、CSA、VDE等）对绝缘距离和漏电流的要求。由于其成本低、可靠性高且技术成熟，11P-SAN成为许多工程师在基础隔离设计中的首选器件之一。