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MIAA20WB600TMH 发布时间 时间:2025/8/6 7:03:30 查看 阅读:40

MIAA20WB600TMH 是一款由 STMicroelectronics(意法半导体)制造的功率半导体器件,具体属于 IGBT(绝缘栅双极型晶体管)类别。该器件适用于高功率和高频率的应用,具有低导通压降和快速开关特性,能够在高温环境下稳定运行。MIAA20WB600TMH 采用 TO-247 封装形式,是一款单管 IGBT,广泛用于工业电机控制、电力转换系统、UPS(不间断电源)、焊接设备等领域。

参数

类型:IGBT
  最大集电极电流(IC):20A
  最大集电极-发射极电压(VCES):600V
  导通压降(VCE_sat):约2.1V(典型值)
  最大工作温度:150°C
  封装形式:TO-247
  短路耐受能力:有
  栅极驱动电压:+15V/-15V
  最大栅极电压:±20V
  工作温度范围:-55°C ~ +150°C
  热阻(Rth(j-c)):约1.25K/W

特性

MIAA20WB600TMH 是一款高性能 IGBT 器件,具有多项显著的技术特性。首先,该器件的最大集电极-发射极电压(VCES)为 600V,使其能够承受较高的电压应力,适用于中高压功率转换系统。其次,其额定集电极电流(IC)为 20A,这使得它在中小型功率应用中具有良好的电流承载能力。
  该 IGBT 的导通压降(VCE_sat)在额定电流下约为 2.1V,属于中等水平,能够在保证较低导通损耗的同时,实现较高的系统效率。此外,MIAA20WB600TMH 具有良好的短路耐受能力,可以在异常工况下提供更高的可靠性与安全性。
  其封装形式为 TO-247,具有良好的散热性能和机械稳定性,适合在高功率密度应用中使用。该器件的热阻(Rth(j-c))约为 1.25K/W,表明其具有较好的热传导能力,有助于在高负载条件下维持较低的结温,从而延长器件寿命。
  另一个重要特性是其宽泛的工作温度范围(-55°C 至 +150°C),使其适用于多种严苛环境,如工业控制、户外电源设备等。此外,MIAA20WB600TMH 支持标准的栅极驱动电压(+15V/-15V),并具有 ±20V 的最大栅极电压耐受能力,这使其在各种驱动电路设计中具有良好的兼容性。
  综上所述,MIAA20WB600TMH 在电压、电流、导通损耗、热管理和可靠性等方面表现出色,是一款适用于多种高功率应用的理想选择。

应用

MIAA20WB600TMH 主要应用于需要高效能功率转换的领域。其常见的应用包括工业电机驱动器,如变频器和伺服驱动器,用于提高能效和动态响应性能。此外,该 IGBT 器件广泛用于不间断电源(UPS)系统中,作为核心的功率开关元件,负责直流到交流的逆变过程,确保在主电源故障时提供稳定的电力输出。
  在可再生能源领域,MIAA20WB600TMH 也常用于太阳能逆变器和风能变流器中,用于将光伏板或风力发电机产生的直流电转换为交流电并馈入电网。其优异的短路耐受能力和高热稳定性使其在这些高要求的应用中表现出色。
  此外,该器件还可用于焊接设备,如逆变式焊机,用于实现高效、稳定的焊接过程。它也可应用于感应加热系统,如电磁炉、工业加热设备等,用于高频功率控制和能量转换。
  在电动汽车和充电基础设施方面,MIAA20WB600TMH 可用于车载充电器和 DC-DC 转换器,支持高效的能量管理。由于其良好的温度适应性和高可靠性,该器件也适用于户外和恶劣环境中的电源系统,如通信基站电源、铁路牵引系统等。
  总体而言,MIAA20WB600TMH 的多功能性和高性能使其成为众多高功率电子系统中的关键组件。

替代型号

FGA25N60AND, IRG4PC50UD, STGYL20S600V

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MIAA20WB600TMH参数

  • 标准包装20
  • 类别半导体模块
  • 家庭IGBT
  • 系列-
  • IGBT 类型NPT
  • 配置三相反相器,带制动器
  • 电压 - 集电极发射极击穿(最大)600V
  • Vge, Ic时的最大Vce(开)2.7V @ 15V,20A
  • 电流 - 集电极 (Ic)(最大)29A
  • 电流 - 集电极截止(最大)1.1mA
  • Vce 时的输入电容 (Cies)0.9nF @ 25V
  • 功率 - 最大100W
  • 输入三相桥式整流器
  • NTC 热敏电阻
  • 安装类型底座安装
  • 封装/外壳MiniPack2
  • 供应商设备封装迷你型Pack2