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IRLR120NTRPBF 发布时间 时间:2024/5/15 14:11:41 查看 阅读:228

IRLR120NTRPBF是一种N沟道MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)。它采用了国际整流器(Infineon Technologies)的技术,具有较低的导通电阻和快速的开关速度。这使得IRLR120NTRPBF非常适合用于高效率功率转换应用,如DC-DC转换器、电源管理和电动汽车等领域。
  IRLR120NTRPBF的操作基于MOSFET的工作原理。MOSFET是一种由MOS电容和场效应晶体管组成的器件。它的导电性通过控制栅极电压来实现。当栅极电压高于阈值电压时,MOSFET处于导通状态;当栅极电压低于阈值电压时,MOSFET处于截止状态。IRLR120NTRPBF是一种N沟道MOSFET,意味着它的导电性由负电荷携带者(电子)实现。

参数

●额定电压(Vds):100V
  ●额定电流(Ids):12A
  ●静态电阻(Rds(on)):0.14Ω
  ●线性耗散功率(Pd):2.8W
  ●栅极驱动电压(Vgs):±20V
  ●工作温度范围(Tj):-55°C至+175°C

特点

1、低电阻:由于采用了先进的MOSFET技术,IRLR120NTRPBF具有非常低的漏极-源极电阻,可以在低电压下实现较大的电流传输。
  2、高开关速度:IRLR120NTRPBF具有快速的开关速度,可以快速切换通断状态,适用于高频率应用。
  3、低导通损耗:由于电阻较低,IRLR120NTRPBF在导通状态下的功耗较低,能够提供更高的效率。
  4、高温工作能力:IRLR120NTRPBF能够在高温环境下工作,具有良好的热稳定性。

应用

IRLR120NTRPBF广泛应用于低电压和低功耗的电子设备中,例如:
  1、电源管理:适用于低电压DC-DC转换器、开关电源和充电器等。
  2、电动工具:适用于电动工具的电机驱动器和控制器。
  3、汽车电子:适用于汽车电子系统的电流控制和开关应用。
  4、LED驱动:适用于LED照明系统的开关驱动。

如何使用

IRLR120NTRPBF是一款N沟道MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),主要用于低电压和低功耗应用。以下是IRLR120NTRPBF的使用要点:
  1、确保正确的安装:在使用IRLR120NTRPBF之前,确保正确安装它。检查引脚的位置和方向,与电路板上的焊接点匹配。注意不要弯曲或损坏引脚。
  2、电源电压:IRLR120NTRPBF的最大额定电源电压为30V。确保提供的电压不超过这个额定值,以避免损坏设备。
  3、控制信号:IRLR120NTRPBF需要一个适当的控制信号来打开和关闭。控制信号通常是一个低电平的电压,通过控制引脚来提供。确保控制信号的电平和时序满足设备的要求。
  4、散热:在高功率应用中,IRLR120NTRPBF可能会产生一定的热量。为了确保正常运行和延长器件的寿命,需要适当的散热措施。使用散热片或散热器将热量从器件中导出,并确保器件的工作温度在可接受范围内。
  5、电流限制:IRLR120NTRPBF的最大额定电流为48A。确保通过器件的电流不超过这个额定值,以避免过载和损坏。
  6、ESD保护:在处理IRLR120NTRPBF时,要注意静电放电(ESD)的风险。确保在处理器件之前,使用适当的ESD防护措施,如接地腕带和防静电垫。
  7、遵循规范:在使用IRLR120NTRPBF时,遵循相关的规范和标准,以确保设备的安全性和性能。
  在使用IRLR120NTRPBF时,确保正确安装,提供适当的电源电压和控制信号,采取散热措施,限制电流,并遵循相关规范和标准。这样可以确保器件正常运行,并提高系统的可靠性。

安装要点

IRLR120NTRPBF是一种N沟道MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),常用于功率开关和放大电路中。以下是安装IRLR120NTRPBF的要点:
  1、材料准备:除了IRLR120NTRPBF之外,还需要准备适当的散热器、绝缘垫片、焊锡、焊接工具、导线等。
  2、散热器选择:根据IRLR120NTRPBF的功率损耗和工作环境,选择合适的散热器。确保散热器能够有效地散热,以保持MOSFET的工作温度在安全范围内。
  3、安装位置选择:选择一个适当的位置安装IRLR120NTRPBF,确保它能够顺利地与其他电路元件连接,并且能够良好地散热。
  4、绝缘垫片使用:在IRLR120NTRPBF和散热器之间使用绝缘垫片,以防止短路和电气隔离。
  5、焊接连接:将IRLR120NTRPBF引脚与其他电路元件进行焊接连接。确保焊接点牢固可靠,避免电流过载和短路。
  6、导线连接:使用适当的导线将IRLR120NTRPBF与其他电路元件连接起来。选择合适的导线规格,以确保电流传输的稳定和安全。
  7、确保散热:安装好IRLR120NTRPBF后,确保散热器能够有效地散热。检查散热器是否与IRLR120NTRPBF紧密接触,并使用散热硅脂等散热材料提高散热效果。
  8、测试和调试:安装完成后,进行电路测试和调试。确保IRLR120NTRPBF正常工作,没有异常发热和损坏现象。
  以上是安装IRLR120NTRPBF的要点,通过正确的安装和连接,可以确保MOSFET的正常工作和长寿命。在安装过程中,需要注意安全操作,避免触电和短路等危险。如果不确定如何安装,请咨询专业人士的帮助。

常见故障及预防措施

IRLR120NTRPBF是一种N沟道场效应晶体管,常用于功率电子应用中。虽然它具有可靠性和稳定性,但在使用过程中仍可能出现一些常见故障。以下是一些可能的故障及预防措施:
  1、过热:当IRLR120NTRPBF工作在超过其额定功率或电流的情况下,可能会导致过热。这可能会损坏晶体管或引起系统故障。为了预防过热,应确保晶体管工作在其额定功率和电流范围内,并提供足够的散热。
  2、静电放电:静电放电可能会对晶体管造成损坏。在安装和处理晶体管时,务必使用防静电措施,如穿戴静电手腕带,避免直接触摸晶体管的引脚。
  3、过电压:过电压是晶体管故障的常见原因之一。确保提供给晶体管的电压在其额定范围内,并使用适当的电源电压稳定器来保护晶体管。
  4、过流:过流是另一个可能导致晶体管故障的原因。使用适当的电流限制电路或保险丝来保护晶体管免受过流损害。
  5、瞬态过电压:瞬态过电压可能会在电源启动或关闭时出现,对晶体管造成损坏。使用适当的瞬态电压抑制器来保护晶体管。
  6、温度变化:温度变化可能会导致晶体管参数的变化,从而影响其性能。确保晶体管工作在适当的温度范围内,并提供必要的散热和温度控制。
  7、错误的焊接:错误的焊接可能会导致引脚接触不良或短路,从而影响晶体管的工作。在焊接过程中,应遵循正确的焊接方法和规范。

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IRLR120NTRPBF参数

  • 标准包装2,000
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 单
  • 系列HEXFET®
  • FET 型MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET 特点逻辑电平门
  • 漏极至源极电压(Vdss)100V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C10A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C185 毫欧 @ 6A,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)2V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs20nC @ 5V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds440pF @ 25V
  • 功率 - 最大48W
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63
  • 供应商设备封装D-Pak
  • 包装带卷 (TR)
  • 其它名称IRLR120NPBFTR