您好,欢迎来到维库电子市场网 登录 | 免费注册

您所在的位置:电子元器件采购网 > IC百科 > SI4544DY-T1-E3

SI4544DY-T1-E3 发布时间 时间:2025/6/3 16:27:45 查看 阅读:5

SI4544DY-T1-E3 是一款由 Vishay 生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET。该器件采用 TrenchFET 第三代技术制造,具有极低的导通电阻 (Rds(on)) 和高效率特性,非常适合用于要求高效能和高开关速度的应用场景。其小型化的封装设计使其成为空间受限应用的理想选择,同时能够提供出色的热性能和电气性能。
  SI4544DY-T1-E3 的工作电压范围为 -0.3V 至 20V,并具备快速开关能力以及低栅极电荷 (Qg),从而降低了驱动损耗,提高了整体系统效率。

参数

最大漏源电压:20V
  连续漏极电流:4.9A
  导通电阻:8.5mΩ
  栅极电荷:10nC
  输入电容:60pF
  典型阈值电压:1.2V
  工作温度范围:-55°C 至 +175°C
  封装形式:TSSOP6

特性

SI4544DY-T1-E3 具有以下显著特性:
  1. 极低的导通电阻 (Rds(on)) 确保在高电流应用中减少功耗并提高效率。
  2. 高效的 TrenchFET 第三代技术带来更优的开关性能和热管理能力。
  3. 小尺寸 TSSOP6 封装适合紧凑型设计需求。
  4. 宽工作温度范围 (-55°C 至 +175°C) 支持极端环境下的可靠运行。
  5. 快速开关能力和低栅极电荷 (Qg) 提高了高频应用中的效率。
  6. 可靠性高,适用于汽车、工业及消费类电子设备。

应用

该器件广泛应用于多种领域,包括但不限于:
  1. 开关电源 (SMPS) 中的同步整流器。
  2. 直流-直流转换器中的高效开关元件。
  3. 电机驱动电路中的功率控制。
  4. 电池保护和负载切换。
  5. 便携式设备中的负载开关和 FET 开关。
  6. 工业自动化设备中的功率级控制。
  7. 汽车电子中的各类功率管理模块。

替代型号

SI4406DY, SI4407DY, SI4543DY

SI4544DY-T1-E3推荐供应商 更多>

  • 产品型号
  • 供应商
  • 数量
  • 厂商
  • 封装/批号
  • 询价

SI4544DY-T1-E3参数

  • 标准包装2,500
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 阵列
  • 系列TrenchFET®
  • FET 型N 和 P 沟道
  • FET 特点逻辑电平门
  • 漏极至源极电压(Vdss)30V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C-
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C35 毫欧 @ 6.5A,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)1V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs35nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds-
  • 功率 - 最大-
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
  • 供应商设备封装8-SOICN
  • 包装带卷 (TR)