时间：2025/6/3 16:27:45
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SI4544DY-T1-E3 是一款由 Vishay 生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET。该器件采用 TrenchFET 第三代技术制造，具有极低的导通电阻 (Rds(on)) 和高效率特性，非常适合用于要求高效能和高开关速度的应用场景。其小型化的封装设计使其成为空间受限应用的理想选择，同时能够提供出色的热性能和电气性能。
SI4544DY-T1-E3 的工作电压范围为 -0.3V 至 20V，并具备快速开关能力以及低栅极电荷 (Qg)，从而降低了驱动损耗，提高了整体系统效率。
最大漏源电压：20V
连续漏极电流：4.9A
导通电阻：8.5mΩ
栅极电荷：10nC
输入电容：60pF
典型阈值电压：1.2V
工作温度范围：-55°C 至 +175°C
封装形式：TSSOP6
SI4544DY-T1-E3 具有以下显著特性：
1. 极低的导通电阻 (Rds(on)) 确保在高电流应用中减少功耗并提高效率。
2. 高效的 TrenchFET 第三代技术带来更优的开关性能和热管理能力。
3. 小尺寸 TSSOP6 封装适合紧凑型设计需求。
4. 宽工作温度范围 (-55°C 至 +175°C) 支持极端环境下的可靠运行。
5. 快速开关能力和低栅极电荷 (Qg) 提高了高频应用中的效率。
6. 可靠性高，适用于汽车、工业及消费类电子设备。
该器件广泛应用于多种领域，包括但不限于：
1. 开关电源 (SMPS) 中的同步整流器。
2. 直流-直流转换器中的高效开关元件。
3. 电机驱动电路中的功率控制。
4. 电池保护和负载切换。
5. 便携式设备中的负载开关和 FET 开关。
6. 工业自动化设备中的功率级控制。
7. 汽车电子中的各类功率管理模块。
SI4406DY, SI4407DY, SI4543DY
