时间：2025/7/12 15:58:22
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IRLR024TRPBF 是一款来自英飞凌（Infineon）的N沟道增强型功率MOSFET，采用Trench技术制造。这款器件具有非常低的导通电阻和高开关速度，适用于各种需要高效能和高频工作的应用场合。该芯片广泛应用于开关电源、电机驱动、DC-DC转换器以及其他电力电子设备中。
类型：N沟道增强型 MOSFET
封装：TO-252 (DPAK)
Vds（漏源电压）：30V
Rds(on)（导通电阻，典型值）：1.7mΩ @ Vgs=10V
Ids（连续漏极电流）：94A
Vgs（栅源电压）：±20V
功耗：106W
f(tsw)（切换频率）：1MHz
结温范围：-55℃ 至 150℃
IRLR024TRPBF 的主要特性包括：
1. 极低的导通电阻（Rds(on)），在10V的栅极驱动下仅为1.7毫欧姆，显著降低传导损耗。
2. 高电流处理能力，额定连续漏极电流高达94安培。
3. 快速开关性能，适合高频工作环境。
4. 超小型表面贴装封装（TO-252），便于设计布局。
5. 强大的热性能，支持更高的功率密度。
6. 具有良好的雪崩能力和抗静电能力，提高系统的可靠性和稳定性。
IRLR024TRPBF 常用于以下应用领域：
1. 开关电源（SMPS）中的同步整流电路。
2. 电动工具和家用电器中的直流无刷电机驱动。
3. DC-DC转换器及负载点（POL）转换器。
4. 电池管理系统中的充放电控制电路。
5. 工业自动化系统中的电源管理模块。
6. 汽车电子中的启动/停止系统和LED照明驱动。
IRLZ44N, IRL540N, FDP5580
