时间：2025/7/9 10:38:32
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IRLR024NTR 是一款 N 沟道逻辑 级功率 MOSFET，由英飞凌（Infineon）生产。该器件采用 Trench 技术制造，具有低导通电阻和快速开关速度的特点，非常适合用于各种高频开关应用和负载切换场景。其封装形式为 TO-252 (DPAK)，有助于提高散热性能并简化 PCB 布局。
该器件适用于消费电子、工业控制、通信设备等领域，凭借其出色的电气性能和可靠性，广泛应用于 DC-DC 转换器、电机驱动器、电源管理以及电池保护电路等。
最大漏源电压：30V
最大连续漏极电流：19A
最大栅源电压：±20V
典型导通电阻：1.6mΩ
总功耗：18W
工作温度范围：-55℃ 至 +175℃
封装形式：TO-252 (DPAK)
IRLR024NTR 具有以下显著特点：
1. 极低的导通电阻（Rds(on)），可降低传导损耗，提升效率。
2. 快速开关能力，适合高频应用，减少开关损耗。
3. 高雪崩击穿能量能力，增强器件的鲁棒性。
4. 工作温度范围宽广，适应多种恶劣环境。
5. 符合 RoHS 标准，环保且满足现代设计需求。
6. 内置反向二极管，支持续流功能，简化电路设计。
这些特性使 IRLR024NTR 在需要高效能和高可靠性的应用中表现优异。
IRLR024NTR 广泛应用于以下领域：
1. 开关模式电源 (SMPS) 中的同步整流。
2. DC-DC 转换器中的功率开关。
3. 电机驱动电路中的功率级元件。
4. 电池保护及管理系统中的负载开关。
5. 各类便携式设备中的功率转换和管理。
6. 通信系统中的信号调节与电源分配。
其高性能和灵活性使得 IRLR024NTR 成为许多工程师在设计高效功率转换解决方案时的首选器件。
IRLR024GTR, IRLR024PTR
