2SK1818是一款由日本东芝公司生产的N沟道功率MOSFET,广泛应用于电源管理和开关电路中。该器件采用先进的平面条形工艺制造,具备较高的开关速度和较低的导通电阻。它通常用于DC-DC转换器、电机控制、电源开关、电池保护系统等应用。2SK1818采用SOP(小外形封装)封装形式,便于表面贴装,适合高密度PCB设计。
类型:N沟道MOSFET
漏源电压(Vds):60V
栅源电压(Vgs):±20V
漏极电流(Id):连续1.5A
功耗(Pd):1W
工作温度范围:-55℃~150℃
存储温度范围:-55℃~150℃
导通电阻(Rds(on)):约5.3Ω(典型值)
输入电容(Ciss):约70pF
过渡频率(fT):10MHz
封装类型:SOP-8
2SK1818具有低导通电阻的特性,使其在导通状态下能够有效降低功耗并提高系统效率。该器件具备较高的开关速度,适用于高频开关应用,例如开关电源和DC-DC转换器。
此外,2SK1818的栅极驱动电压范围较宽,支持常见的逻辑电平控制,便于与微控制器或驱动IC配合使用。
其封装形式为SOP-8,体积小巧,适合紧凑型电路设计,并具备良好的热稳定性和可靠性。
在安全特性方面,2SK1818能够承受一定的过载电流和温度波动,适用于工业控制和便携设备中的电源管理应用。
2SK1818常用于各种电子设备中的电源管理与开关控制电路。其主要应用包括开关电源(SMPS)、DC-DC转换器、LED驱动电路、电机控制电路、电池管理系统(BMS)以及各种低功耗电子产品的电源开关控制。
由于其高开关速度和良好的热稳定性,2SK1818也常用于需要频繁切换的高频率电路中,如逆变器和变频器。
此外,它还适用于信号切换、逻辑电路控制以及模拟开关等应用场景。
在工业自动化、消费电子、汽车电子及通信设备中均有广泛应用。
2SK1819, 2SK2313, IRML2802, Si2302DS, AO3400A