类型：N沟道MOSFET
　　最大漏极-源极电压(Vds)：500V
　　最大栅极-源极电压(Vgs)：±30V
　　最大漏极电流(Id)：4A
　　导通电阻(Rds(on))：最大2.2Ω
　　功耗(Pd)：25W
　　工作温度范围：-55°C至150°C
　　封装类型：表面贴装型（SMD）

TD04RKMG50VB2R2MF25 MOSFET具有多项优异的电气和机械特性，适用于高要求的功率应用。首先，其低导通电阻（Rds(on)）有助于降低导通损耗，提高系统的整体效率。此外，该器件具有较高的击穿电压（500V），能够承受较大的电压应力，确保在高电压环境下的稳定运行。该MOSFET采用了先进的沟槽式结构，提升了电流密度和热稳定性，从而增强了器件的可靠性和耐用性。
　　其次，该器件的栅极驱动电压范围较宽（±30V），使得其适用于多种驱动电路设计，并具备较强的抗干扰能力。同时，其表面贴装封装形式（SMD）不仅节省了PCB空间，还支持自动化装配工艺，提高了生产效率和产品一致性。此外，TD04RKMG50VB2R2MF25具备较低的热阻（Rth），有助于快速散热，从而在高负载条件下保持良好的热稳定性。
　　最后，该MOSFET具有较高的短路耐受能力，能够在瞬态过载条件下保持稳定运行，适用于工业电源、UPS系统、DC-DC转换器等对可靠性要求较高的场合。

TD04RKMG50VB2R2MF25 MOSFET广泛应用于多种高功率和高效率的电子系统中。例如，在电源管理系统中，它可作为主开关器件用于AC-DC或DC-DC转换器，实现高效的能量转换。在电机控制和驱动器系统中，该器件可用于H桥电路中的功率开关，实现对直流电机或步进电机的精确控制。此外，该MOSFET也可用于工业自动化设备中的功率控制模块，如PLC系统中的输出驱动电路。
　　另外，该器件在新能源领域也有广泛应用，如太阳能逆变器、风能变流器等，其高耐压和低导通电阻特性能够有效提高系统的能量转换效率。同时，TD04RKMG50VB2R2MF25还可用于LED照明驱动、电池管理系统（BMS）及智能电表等低功耗高可靠性应用中。由于其优异的热稳定性和高可靠性，该MOSFET也常用于汽车电子系统，如车载充电器、电动助力转向系统（EPS）和电池管理系统等。

TK2P60W,TCP80W04,TCP60W04,TCP40W04,TCP20W04