IRLMS4802TR 时间：2025/12/26 20:59:04 阅读：15

IRLMS4802TR是一款由Infineon Technologies（英飞凌）生产的P沟道增强型功率MOSFET，采用先进的沟槽栅极和薄芯片技术制造，专为高效率、低电压电源管理应用设计。该器件封装在微型的PowerPAK SO-8L封装中，具有极低的导通电阻和优异的热性能，适用于空间受限且对功耗敏感的应用场景。IRLMS4802TR特别适合用于负载开关、电池供电设备中的电源切换、电机控制以及DC-DC转换器等应用。其P沟道特性允许在高端驱动配置中简化栅极驱动电路，无需额外的电荷泵电路即可实现完整的逻辑电平驱动。由于其出色的电气特性和小型化封装，该器件广泛应用于便携式电子产品如智能手机、平板电脑、笔记本电脑以及工业控制和通信设备中。器件符合RoHS环保标准，并具备良好的可靠性和抗应力能力，能够在恶劣的工作环境中稳定运行。此外，PowerPAK封装提供了优异的散热性能，有助于提升系统整体的热管理和长期稳定性。

参数

型号：IRLMS4802TR
　　类型：P沟道MOSFET
　　连续漏极电流（ID）：-5.3A
　　漏源击穿电压（BVDSS）：-30V
　　栅源阈值电压（VGS(th)）：-1V 至 -2.2V
　　导通电阻RDS(on) max @ VGS = -10V：33mΩ
　　导通电阻RDS(on) max @ VGS = -4.5V：45mΩ
　　导通电阻RDS(on) max @ VGS = -2.5V：75mΩ
　　栅极电荷（Qg）典型值：8nC
　　输入电容（Ciss）典型值：400pF
　　功率耗散（PD）：1.6W
　　工作结温范围（Tj）：-55°C 至 +150°C
　　封装形式：PowerPAK SO-8L

特性

IRLMS4802TR的核心优势在于其低导通电阻与逻辑电平驱动能力的结合，使其在电池供电系统中表现出色。其最大RDS(on)在-10V栅压下仅为33mΩ，在-4.5V时为45mΩ，这意味着即使在较低的控制电压下也能保持高效的导通状态，减少能量损耗并提高系统效率。这一特性对于由3.3V或5V逻辑信号直接驱动的应用至关重要，例如电源路径管理或热插拔控制器。器件的阈值电压范围为-1V至-2.2V，确保了良好的开启一致性，并避免了因阈值波动导致的误触发问题。
　　采用先进的沟道工艺和薄芯片技术，IRLMS4802TR实现了更高的载流子迁移率和更低的寄生效应，从而提升了开关速度和频率响应能力。其输入电容仅为400pF左右，配合8nC的栅极电荷，使得该MOSFET在高频开关应用中具有快速的开启和关断能力，减少了开关损耗，尤其适用于同步整流或脉宽调制（PWM）控制电路。
　　PowerPAK SO-8L封装是该器件的一大亮点，相比传统SO-8封装，它去除了引线框架并采用铜夹连接技术，显著降低了封装本身的电阻和热阻，提高了散热效率。这种封装结构允许器件在有限的PCB面积内处理更高的电流和功率，同时支持表面贴装自动化生产，增强了制造的可重复性和可靠性。
　　此外，该器件具备优良的雪崩耐受能力和抗瞬态过压能力，能够在突发的电压冲击下保持功能完整。其-55°C到+150°C的宽工作结温范围使其适用于严苛环境下的工业和汽车电子应用。内置的体二极管也具有较快的反向恢复特性，减少了在感性负载切换过程中的反向电流尖峰，有助于提升系统的电磁兼容性（EMC）表现。

应用

IRLMS4802TR广泛应用于多种需要高效电源切换和紧凑设计的电子系统中。常见用途包括便携式消费类电子产品的电源管理模块，如智能手机和平板电脑中的电池充电与放电路径控制、背光驱动电路的开关调节、USB端口的过流保护与热插拔控制等。在这些应用中，其低RDS(on)和小尺寸封装能够有效降低功耗并节省宝贵的PCB空间。
　　在工业控制领域，该器件可用于PLC输入输出模块、传感器供电开关、继电器替代方案以及小型电机驱动电路中，实现快速响应和高可靠性操作。由于其支持逻辑电平驱动，可以直接由微控制器GPIO引脚控制，无需额外的驱动IC，简化了系统设计并降低成本。
　　此外，IRLMS4802TR还常用于DC-DC转换器中的高端开关拓扑，特别是在降压（Buck）变换器中作为主开关元件，利用其P沟道特性省去复杂的自举电路，提高启动可靠性和动态响应速度。在备用电源切换、UPS系统和多电源选择电路中，该MOSFET也可作为理想的理想二极管替代方案，防止反向电流流动并实现无缝电源切换。
　　汽车电子中的非安全关键系统，如车载信息娱乐系统、车身控制模块（BCM）、车灯控制单元等，也越来越多地采用此类高性能P沟道MOSFET，以满足严格的能效和空间要求。