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1N5279B 发布时间 时间:2025/7/26 1:05:55 查看 阅读:5

1N5279B是一种常见的硅整流二极管,广泛用于各种电源和整流电路中。该器件具有良好的热稳定性和较高的电流承载能力,适用于低频整流、极性保护和开关应用。

参数

类型:硅整流二极管
  最大正向电流(IF):1A
  最大反向电压(VR):400V
  正向电压降(VF):1.1V(典型值)
  最大反向电流(IR):5μA(最大值)
  工作温度范围:-55°C至+175°C
  封装形式:DO-41

特性

1N5279B具备优良的热稳定性和可靠性,在恶劣环境下仍能保持稳定运行。其高反向电压和大正向电流能力使其适用于多种电源整流场合。此外,该器件的正向电压降较低,有助于减少功耗和提高效率。1N5279B还具有良好的耐浪涌电流能力,能够承受短暂的过载情况。
  在电气性能方面,1N5279B的反向漏电流极低,在高温条件下依然保持良好的绝缘性能。其封装设计有助于良好的散热,提高长期运行的可靠性。此外,1N5279B的响应速度适中,适用于低频整流和一般的开关应用。
  该器件的制造工艺成熟,一致性好,广泛用于工业、消费电子和汽车电子等领域。其耐用性和稳定性使其成为许多设计工程师的首选整流二极管之一。

应用

1N5279B主要用于电源整流电路,例如AC-DC转换器、充电器和开关电源。它也可用于极性保护电路,防止因电源极性接反而损坏电子设备。此外,该器件可用于电机驱动、继电器和感性负载的续流保护电路中,以防止电压反冲对开关器件造成损害。在照明和LED驱动电路中,1N5279B也常用于整流和限流功能。

替代型号

1N5408, 1N4007, 1N5819

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1N5279B参数

  • 制造商Central Semiconductor
  • 齐纳电压180 V
  • 电压容差5 %
  • 电压温度系数0.11 % / C
  • 齐纳电流0.68 mA
  • 功率耗散500 mW
  • 最大反向漏泄电流0.1 uA
  • 最大齐纳阻抗6000 Ohms
  • 安装风格Through Hole
  • 封装 / 箱体DO-35
  • 封装Reel
  • 温度系数0.11 % / C