IRLMS4502TRPBF 是一款由英飞凌(Infineon)制造的N沟道逻辑电平增强型功率MOSFET。该器件采用SO-8封装,适用于高效率开关电源、电机驱动、负载切换和DC-DC转换等应用领域。由于其低导通电阻和快速开关特性,IRLMS4502TRPBF在需要高效能和低损耗的场景中表现出色。
这款MOSFET的设计目标是支持低电压操作,能够以较低的栅极驱动电压实现完全导通,非常适合电池供电设备和其他低压系统。
最大漏源电压:30V
最大栅源电压:±12V
持续漏电流:72A
导通电阻(Rds(on)):2.6mΩ(典型值,Vgs=10V)
栅极电荷:28nC(典型值)
输入电容:1900pF
工作温度范围:-55℃至175℃
1. 极低的导通电阻,能够在高频条件下显著降低传导损耗。
2. 快速开关速度,减少开关损耗并提高整体效率。
3. 较低的栅极电荷,简化驱动设计并减少驱动功耗。
4. SO-8封装,提供良好的散热性能和易于装配的特点。
5. 宽工作温度范围,适合工业和汽车级应用环境。
6. 支持高达72A的持续漏电流,适用于大电流应用场景。
1. 开关电源中的同步整流器。
2. DC-DC转换器的主开关或同步整流元件。
3. 电机驱动电路中的功率级元件。
4. 各类负载切换和保护电路。
5. 电池管理系统中的功率开关。
6. 汽车电子中的启动控制和负载管理。
7. 工业自动化设备中的功率驱动组件。
IRLZ44N, SI4462DY, FDP5512