型号：IRLMS2803TR
　　类型：P沟道MOSFET
　　最大漏源电压(VDS)：-20V
　　最大栅源电压(VGS)：±12V
　　连续漏极电流(ID)：-1.9A @ 25°C
　　脉冲漏极电流(IDM)：-4.8A
　　导通电阻(RDS(on))：45mΩ @ VGS = -4.5V
　　导通电阻(RDS(on))：55mΩ @ VGS = -2.5V
　　阈值电压(VGS(th))：-1.0V ~ -1.6V
　　输入电容(Ciss)：220pF @ VDS=10V
　　开启延迟时间(td(on))：6ns
　　关断延迟时间(td(off))：17ns
　　反向恢复时间(trr)：8ns
　　工作结温范围(Tj)：-55°C ~ +150°C
　　封装形式：PG-SCT500 (SOT-723)
　　安装类型：表面贴装(SMD)

IRLMS2803TR采用了英飞凌成熟的TrenchMOS工艺技术，这种先进的制造工艺使得器件能够在较小的芯片尺寸下实现更低的导通电阻和更高的电流处理能力。其RDS(on)典型值仅为45mΩ（在VGS = -4.5V条件下），这显著减少了导通状态下的功率损耗，提升了系统的整体能效。特别值得一提的是，该器件在低栅极驱动电压下仍能保持优异的导通性能，例如在VGS = -2.5V时，RDS(on)仅为55mΩ，这意味着它可以很好地兼容3.3V或甚至更低的逻辑电平控制系统，无需额外的电平转换或驱动电路，从而简化了设计复杂度并节省了外围元件成本。
　　该器件具有快速的开关响应能力，开启延迟时间仅6ns，关断延迟时间为17ns，同时反向恢复时间trr为8ns，表现出优良的动态特性，适合高频开关操作的应用环境。这对于需要频繁启停或高速切换的电源管理系统尤为重要，能够有效减少开关过程中的能量损耗，防止因体二极管反向恢复引起的电压尖峰问题，提高系统稳定性。此外，由于其P沟道结构，在用作高边开关时可以直接由微控制器IO口驱动，极大地方便了电路设计。
　　IRLMS2803TR的热性能也经过优化设计，尽管封装非常小巧（SOT-723），但在适当的PCB布局和散热设计下仍可支持高达1.9A的连续漏极电流。其额定工作结温范围为-55°C至+150°C，确保了在极端温度环境下依然可靠运行。该器件还具备良好的抗雪崩能力和静电放电（ESD）保护性能，增强了在恶劣工况下的鲁棒性。所有这些特性共同赋予IRLMS2803TR出色的综合性能，使其成为众多小型化、高效化电子系统中的关键组件。

IRLMS2803TR广泛应用于各类对空间和功耗敏感的电子系统中。在便携式消费类电子产品中，如智能手机、平板电脑、可穿戴设备和蓝牙耳机等，它常被用于电池电源路径管理、负载开关控制以及多电源域之间的切换控制。由于其低静态电流和快速响应特性，非常适合用于延长电池续航时间的节能设计。在嵌入式系统和微控制器模块中，该器件可用于GPIO扩展驱动、外设供电控制或复位电路中的电源门控功能。
　　在通信接口电路中，IRLMS2803TR可用于USB、I2C、SPI等总线的电平切换或热插拔保护，防止数据冲突和过流损坏。此外，在工业自动化和传感器模块中，它可作为小型执行器或传感单元的开关元件，实现精确的电源控制。得益于其通过AEC-Q101认证，该器件也被广泛应用于汽车电子领域，例如车载信息娱乐系统、车身控制模块、车灯驱动电路以及DC-DC转换器中的同步整流或上桥臂开关。其高可靠性和宽温工作范围使其能在汽车严苛的电气和温度环境中稳定运行。
　　在医疗电子设备中，尤其是便携式监测仪器和手持式诊断工具，IRLMS2803TR因其小尺寸和低功耗特性而受到青睐。同时，在物联网（IoT）节点设备中，该器件可用于无线模块的电源管理，实现按需供电以降低待机功耗。总之，凡是需要小型化、低功耗、高效率开关控制的场合，IRLMS2803TR都是一种极具竞争力的解决方案。

SI2301-ADJ
　　DMG2301U
　　AO3401A
　　FDD94N15