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IRLML9303TRPBF 发布时间 时间:2025/4/28 12:29:37 查看 阅读:3

IRLML9303TRPBF 是一款由英飞凌(Infineon)制造的 N 沃特逻辑电平 MOSFET。该器件采用小型化的 SOT-23 封装,具有低导通电阻和快速开关速度,适用于多种低电压、高效率的应用场景。
  这款 MOSFET 的设计使其能够在较低的栅极驱动电压下实现高效的导通性能,非常适合用于便携式设备、消费电子和工业控制中的功率管理电路。

参数

最大漏源电压:20V
  最大连续漏电流:2.8A
  最大栅极源极电压:±12V
  导通电阻(Rds(on)):65mΩ(在 Vgs=4.5V 时)
  总功耗:500mW
  工作至+150℃

特性

IRLML9303TRPBF 具有以下主要特性:
  1. 极低的导通电阻(Rds(on)),能够减少导通损耗并提高整体效率。
  2. 高速开关性能,支持高频应用。
  3. 符合 RoHS 标准,绿色环保。
  4. 支持低至 2.5V 的栅极驱动电压,适合电池供电设备。
  5. 耐热增强型封装,有助于改善散热性能。
  6. 小型 SOT-23 封装,节省 PCB 空间。

应用

IRLML9303TRPBF 广泛应用于以下领域:
  1. 开关电源和 DC-DC 转换器。
  2. 电池供电设备中的负载切换。
  3. 电机驱动和控制。
  4. 消费类电子产品中的功率管理。
  5. 工业自动化系统中的信号处理与保护电路。
  6. LED 驱动和背光控制。

替代型号

IRLML6402TRPBF, BSS138PW, AO3400A

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IRLML9303TRPBF参数

  • 标准包装3,000
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 单
  • 系列HEXFET®
  • FET 型MOSFET P 通道,金属氧化物
  • FET 特点逻辑电平门
  • 漏极至源极电压(Vdss)30V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C2.3A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C165 毫欧 @ 2.3A,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)2.4V @ 10µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs2nC @ 4.5V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds160pF @ 25V
  • 功率 - 最大1.25W
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
  • 供应商设备封装Micro3?/SOT-23
  • 包装带卷 (TR)
  • 其它名称IRLML9303TRPBF-NDIRLML9303TRPBFTR