时间：2025/7/12 0:00:26
阅读：16
IRLML6344GT是一款由英飞凌（Infineon）生产的N沟道增强型MOSFET。该器件采用微型SOT-23封装，适用于低电压、低功耗应用场合。
该MOSFET具有较低的导通电阻和栅极电荷，适合用于便携式设备中的负载开关、DC-DC转换器以及电池管理等应用。其设计旨在提供高效率和快速开关性能。
最大漏源电压：30V
最大栅源电压：±8V
连续漏极电流：1.9A
导通电阻（Rds(on)）：55mΩ（在Vgs=10V时）
栅极电荷：3.5nC
总电容（Ciss）：105pF
工作温度范围：-55°C至150°C
IRLML6344GT具有以下特点：
1. 超低导通电阻，在给定栅极驱动下可显著减少传导损耗。
2. 快速开关速度，得益于其低栅极电荷特性。
3. 小型SOT-23封装使其适合于空间受限的设计。
4. 高雪崩能力以提高系统可靠性。
5. 宽工作温度范围适应各种环境条件。
6. 符合RoHS标准，环保且无铅。
这款MOSFET主要应用于：
1. 手机和平板电脑等便携式电子设备中的负载开关。
2. 各类DC-DC转换器和POL稳压器。
3. 电池供电系统的保护和切换功能。
4. 消费类电子产品中的电机控制。
5. 信号电平转换及小型继电器替代方案。
IRLML6344TRPBF, IRLML6344GTRPBF
