类型：N沟道
　　漏源电压（Vds）：20V
　　连续漏极电流（Id）：3.4A（@ 70°C）
　　脉冲漏极电流（Idm）：13A
　　栅源电压（Vgs）：±12V
　　导通电阻（Rds(on)）：35mΩ（@ Vgs=4.5V）
　　导通电阻（Rds(on)）：47mΩ（@ Vgs=2.5V）
　　阈值电压（Vgs(th)）：0.8V ~ 1.3V（@ Id=250μA）
　　输入电容（Ciss）：290pF（@ Vds=10V）
　　开启延迟时间（td(on)）：4ns
　　关断延迟时间（td(off)）：14ns
　　工作结温范围：-55°C ~ +150°C
　　封装：SOT-23

IRLML6302GTRPBF采用英飞凌先进的沟槽型MOSFET工艺，具备极低的导通电阻，这使得它在大电流条件下仍能保持较低的功耗，有效减少发热，提高系统整体能效。其Rds(on)在Vgs=4.5V时仅为35mΩ，在同类SOT-23封装器件中处于领先水平，能够支持更高的电流密度而不导致过热问题。该器件的阈值电压较低，通常在0.8V到1.3V之间，这意味着即使在低电压控制系统中也能实现快速开启，非常适合使用3.3V或2.5V逻辑电平的微处理器或FPGA直接驱动，无需额外的电平转换电路，简化了设计复杂度。
　　该MOSFET具有出色的开关速度，得益于其较小的栅极电荷（Qg）和输入电容（Ciss约为290pF），在高频开关应用如同步整流和DC-DC降压变换器中表现出色。开启延迟时间仅4ns，关断延迟时间为14ns，确保了快速响应和高效能量转换。同时，其寄生体二极管具有较快的反向恢复特性，有助于减少开关过程中的能量损耗和电压尖峰，提升系统稳定性。
　　热性能方面，尽管SOT-23封装体积小巧，但通过优化芯片布局和封装材料，IRLML6302GTRPBF实现了良好的散热能力。在PCB上合理布线和敷铜的情况下，可有效将热量传导至外部环境，延长器件寿命。此外，器件的工作结温范围宽达-55°C至+150°C，适应各种严苛的工作环境，包括工业控制、汽车电子和户外设备等应用场景。所有参数均经过严格测试，确保批次一致性与长期可靠性。

IRLML6302GTRPBF因其小尺寸、低导通电阻和良好的开关特性，被广泛应用于多种低功率电子系统中。常见用途包括便携式消费类电子产品中的电源开关，例如智能手机、平板电脑和可穿戴设备中的电池管理和负载切换电路。在此类应用中，该器件可用于控制不同功能模块的供电通断，实现节能待机模式或防止过流损坏。
　　在DC-DC转换器拓扑结构中，特别是降压（Buck）转换器的同步整流部分，IRLML6302GTRPBF常作为低边开关使用，替代传统肖特基二极管以提高转换效率。其低Rds(on)减少了导通损耗，尤其在轻载和中等负载条件下表现优异。
　　此外，该器件适用于电机驱动电路，尤其是微型直流电机或步进电机的H桥驱动方案中的低端开关元件。由于其快速开关能力和低驱动电压要求，能够实现精确的PWM调速控制。
　　其他典型应用还包括LED驱动电路、热插拔控制器、USB电源开关、传感器电源管理以及各类嵌入式系统的电源路径控制。在汽车电子领域，该器件可用于车身控制模块、车用照明或车载信息娱乐系统的低压电源管理单元，满足AEC-Q101可靠性标准的部分要求（需确认具体等级）。总之，任何需要小型化、高效率、低电压驱动的开关场合均可考虑使用此款MOSFET。

SI2302DS-T1-E3
　　FDMT66711-F085
　　AO3400A
　　NTR4101P