IRLML5103GTRPBF是英飞凌(Infineon)公司生产的一款N沟道逻辑电平MOSFET。该器件采用微型化的封装设计,适用于低电压、高效率的开关应用。其低导通电阻和快速开关特性使其非常适合便携式设备、电池供电系统以及高频功率转换电路。
IRLML5103GTRPBF采用小型化的DFN8(2x2mm)封装形式,有助于减少PCB空间占用并提高功率密度。
最大漏源电压:20V
最大栅源电压:±8V
持续漏极电流:2.6A
导通电阻(Rds(on)):40mΩ(在Vgs=4.5V时)
栅极电荷:4nC
总功耗:570mW
工作结温范围:-55℃至+150℃
IRLML5103GTRPBF具有以下显著特性:
1. 低导通电阻:确保低功耗和高效能表现。
2. 小型化封装:DFN8封装尺寸仅为2x2mm,适合紧凑型设计。
3. 快速开关性能:极低的栅极电荷允许更高的开关频率。
4. 高可靠性:通过了严格的工业级测试标准,具备良好的耐用性。
5. 热稳定性强:能在较宽的温度范围内稳定运行。
6. 静电防护能力较强:有助于提高整体系统的抗干扰能力。
IRLML5103GTRPBF广泛应用于各种需要高效功率管理的场景中,例如:
1. 移动设备中的负载开关和电源管理。
2. USB端口保护及充电控制。
3. DC/DC转换器中的同步整流功能。
4. LED驱动电路中的开关元件。
5. 消费类电子产品中的电池管理系统(BMS)。
6. 电机驱动和音频放大器中的开关组件。
IRLML6344, IRLML6402