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IRLML5103GTRPBF 发布时间 时间:2025/7/4 0:09:33 查看 阅读:10

IRLML5103GTRPBF是英飞凌(Infineon)公司生产的一款N沟道逻辑电平MOSFET。该器件采用微型化的封装设计,适用于低电压、高效率的开关应用。其低导通电阻和快速开关特性使其非常适合便携式设备、电池供电系统以及高频功率转换电路。
  IRLML5103GTRPBF采用小型化的DFN8(2x2mm)封装形式,有助于减少PCB空间占用并提高功率密度。

参数

最大漏源电压:20V
  最大栅源电压:±8V
  持续漏极电流:2.6A
  导通电阻(Rds(on)):40mΩ(在Vgs=4.5V时)
  栅极电荷:4nC
  总功耗:570mW
  工作结温范围:-55℃至+150℃

特性

IRLML5103GTRPBF具有以下显著特性:
  1. 低导通电阻:确保低功耗和高效能表现。
  2. 小型化封装:DFN8封装尺寸仅为2x2mm,适合紧凑型设计。
  3. 快速开关性能:极低的栅极电荷允许更高的开关频率。
  4. 高可靠性:通过了严格的工业级测试标准,具备良好的耐用性。
  5. 热稳定性强:能在较宽的温度范围内稳定运行。
  6. 静电防护能力较强:有助于提高整体系统的抗干扰能力。

应用

IRLML5103GTRPBF广泛应用于各种需要高效功率管理的场景中,例如:
  1. 移动设备中的负载开关和电源管理。
  2. USB端口保护及充电控制。
  3. DC/DC转换器中的同步整流功能。
  4. LED驱动电路中的开关元件。
  5. 消费类电子产品中的电池管理系统(BMS)。
  6. 电机驱动和音频放大器中的开关组件。

替代型号

IRLML6344, IRLML6402

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IRLML5103GTRPBF参数

  • 标准包装3,000
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 单
  • 系列HEXFET®
  • FET 型MOSFET P 通道,金属氧化物
  • FET 特点逻辑电平门
  • 漏极至源极电压(Vdss)30V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C760mA
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C600 毫欧 @ 600mA,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)1V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs5.1nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds75pF @ 25V
  • 功率 - 最大540mW
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
  • 供应商设备封装Micro3?/SOT-23
  • 包装带卷 (TR)
  • 其它名称IRLML5103GTRPBF-NDIRLML5103GTRPBFTR