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IRLML2803TR 发布时间 时间:2025/7/9 20:06:27 查看 阅读:13

IRLML2803TR是英飞凌(Infineon)公司生产的N沟道逻辑电平MOSFET。该器件采用SO-8封装,具有低导通电阻和快速开关特性,非常适合用于需要高效率和高频工作的应用场合。其低阈值电压使其能够直接由微控制器或数字逻辑电路驱动,从而简化了设计并降低了成本。
  IRLML2803TR广泛应用于消费电子、工业控制、通信设备以及电源管理领域,例如电机驱动、负载切换、DC-DC转换器等。

参数

最大漏源电压:30V
  连续漏极电流:2.9A
  导通电阻:175mΩ(在Vgs=4.5V时)
  栅极电荷:6nC
  开关时间:典型开启时间28ns,典型关闭时间15ns
  工作温度范围:-55℃至150℃

特性

IRLML2803TR的主要特性包括:
  1. 低导通电阻,在额定条件下表现出较低的功耗。
  2. 快速开关速度,支持高频操作。
  3. 高可靠性,适用于各种恶劣的工作环境。
  4. SO-8小型封装,节省PCB空间。
  5. 具有低栅极驱动电压要求,可以直接由3.3V或5V逻辑电平驱动。
  6. 热稳定性良好,能够在较宽的温度范围内正常工作。
  7. 符合RoHS标准,环保且适合现代绿色产品设计。

应用

该MOSFET适用于多种应用场景,包括但不限于以下方面:
  1. 开关电源中的同步整流和DC-DC转换。
  2. 消费类电子产品中的负载开关和保护电路。
  3. 小型电机驱动及控制。
  4. LED照明驱动电路。
  5. 可携式设备的电池管理和功率分配。
  6. 工业自动化系统中的信号处理和功率调节。
  由于其优异的电气性能和紧凑的封装尺寸,IRLML2803TR成为许多低功率、高效率应用的理想选择。

替代型号

IRLML2802TR, IRLML2804TR

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IRLML2803TR参数

  • 标准包装1
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 单
  • 系列HEXFET®
  • FET 型MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET 特点逻辑电平门
  • 漏极至源极电压(Vdss)30V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C1.2A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C250 毫欧 @ 910mA,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)1V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs5nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds85pF @ 25V
  • 功率 - 最大540mW
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
  • 供应商设备封装Micro3?/SOT-23
  • 包装剪切带 (CT)
  • 其它名称*IRLML2803TRIRLML2803IRLML2803-NDIRLML2803CT