IRLML2803TR是英飞凌(Infineon)公司生产的N沟道逻辑电平MOSFET。该器件采用SO-8封装,具有低导通电阻和快速开关特性,非常适合用于需要高效率和高频工作的应用场合。其低阈值电压使其能够直接由微控制器或数字逻辑电路驱动,从而简化了设计并降低了成本。
IRLML2803TR广泛应用于消费电子、工业控制、通信设备以及电源管理领域,例如电机驱动、负载切换、DC-DC转换器等。
最大漏源电压:30V
连续漏极电流:2.9A
导通电阻:175mΩ(在Vgs=4.5V时)
栅极电荷:6nC
开关时间:典型开启时间28ns,典型关闭时间15ns
工作温度范围:-55℃至150℃
IRLML2803TR的主要特性包括:
1. 低导通电阻,在额定条件下表现出较低的功耗。
2. 快速开关速度,支持高频操作。
3. 高可靠性,适用于各种恶劣的工作环境。
4. SO-8小型封装,节省PCB空间。
5. 具有低栅极驱动电压要求,可以直接由3.3V或5V逻辑电平驱动。
6. 热稳定性良好,能够在较宽的温度范围内正常工作。
7. 符合RoHS标准,环保且适合现代绿色产品设计。
该MOSFET适用于多种应用场景,包括但不限于以下方面:
1. 开关电源中的同步整流和DC-DC转换。
2. 消费类电子产品中的负载开关和保护电路。
3. 小型电机驱动及控制。
4. LED照明驱动电路。
5. 可携式设备的电池管理和功率分配。
6. 工业自动化系统中的信号处理和功率调节。
由于其优异的电气性能和紧凑的封装尺寸,IRLML2803TR成为许多低功率、高效率应用的理想选择。
IRLML2802TR, IRLML2804TR