IRFU3707ZPBF 是一款由英飞凌(Infineon)生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET。该器件采用了先进的 Trench 技术,具有低导通电阻和高开关速度的特点,非常适合用于高效能的开关电源、DC-DC 转换器、电机驱动等应用领域。
其封装形式为 PowerPAK SO-8L,这种封装方式能够有效降低寄生电感并提升散热性能,从而进一步提高整体系统效率。
最大漏源电压:60V
连续漏极电流:115A
导通电阻:2.9mΩ(典型值,在 Vgs=10V 时)
栅极电荷:34nC(典型值)
输入电容:2720pF(典型值)
开关时间:ton=9ns,toff=22ns(典型值)
工作结温范围:-55℃ 至 +175℃
IRFU3707ZPBF 的主要特性包括:
1. 极低的导通电阻,有助于减少传导损耗,提高效率。
2. 快速的开关速度,可以支持高频操作,减小磁性元件尺寸。
3. 高电流处理能力,适合大功率应用场景。
4. 具备优异的热性能和电气性能,确保在严苛环境下的可靠性。
5. 小型化封装设计,节省 PCB 空间,同时提供良好的散热路径。
6. 符合 RoHS 标准,环保且满足国际法规要求。
这款 MOSFET 广泛应用于以下场景:
1. 开关模式电源(SMPS)中的同步整流。
2. DC-DC 转换器的核心功率级组件。
3. 电动工具、家用电器及其他消费类电子产品的电机驱动。
4. 工业自动化设备中的负载切换控制。
5. 大功率 LED 驱动电路。
6. 可再生能源系统中的逆变器及转换器模块。
IRFU3708ZPBF, IRF3707Z