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IRFU3707ZPBF 发布时间 时间:2025/7/3 17:17:24 查看 阅读:7

IRFU3707ZPBF 是一款由英飞凌(Infineon)生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET。该器件采用了先进的 Trench 技术,具有低导通电阻和高开关速度的特点,非常适合用于高效能的开关电源、DC-DC 转换器、电机驱动等应用领域。
  其封装形式为 PowerPAK SO-8L,这种封装方式能够有效降低寄生电感并提升散热性能,从而进一步提高整体系统效率。

参数

最大漏源电压:60V
  连续漏极电流:115A
  导通电阻:2.9mΩ(典型值,在 Vgs=10V 时)
  栅极电荷:34nC(典型值)
  输入电容:2720pF(典型值)
  开关时间:ton=9ns,toff=22ns(典型值)
  工作结温范围:-55℃ 至 +175℃

特性

IRFU3707ZPBF 的主要特性包括:
  1. 极低的导通电阻,有助于减少传导损耗,提高效率。
  2. 快速的开关速度,可以支持高频操作,减小磁性元件尺寸。
  3. 高电流处理能力,适合大功率应用场景。
  4. 具备优异的热性能和电气性能,确保在严苛环境下的可靠性。
  5. 小型化封装设计,节省 PCB 空间,同时提供良好的散热路径。
  6. 符合 RoHS 标准,环保且满足国际法规要求。

应用

这款 MOSFET 广泛应用于以下场景:
  1. 开关模式电源(SMPS)中的同步整流。
  2. DC-DC 转换器的核心功率级组件。
  3. 电动工具、家用电器及其他消费类电子产品的电机驱动。
  4. 工业自动化设备中的负载切换控制。
  5. 大功率 LED 驱动电路。
  6. 可再生能源系统中的逆变器及转换器模块。

替代型号

IRFU3708ZPBF, IRF3707Z

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IRFU3707ZPBF参数

  • 标准包装75
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 单
  • 系列HEXFET®
  • FET 型MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET 特点逻辑电平门
  • 漏极至源极电压(Vdss)30V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C56A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C9.5 毫欧 @ 15A,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)2.25V @ 25µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs14nC @ 4.5V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds1150pF @ 15V
  • 功率 - 最大50W
  • 安装类型通孔
  • 封装/外壳TO-251-3 长引线,IPak,TO-251AB
  • 供应商设备封装I-Pak
  • 包装管件
  • 其它名称*IRFU3707ZPBF