时间：2025/6/24 15:56:38
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IRLML0040GTRPBF是英飞凌（Infineon）公司生产的一款N沟道逻辑电平增强型MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）。该器件专为低电压应用设计，具有超低的导通电阻和极快的开关速度。其封装形式为SOT-23-3L，适合用于空间受限的设计场景。
IRLML0040GTRPBF的主要特点是其出色的性能与紧凑尺寸的结合，适用于多种功率转换和负载切换场合。其额定电压为30V，最大连续漏极电流可达3.1A（在特定条件下），并且能够在低至1.8V的栅极驱动电压下实现可靠的开启。
最大漏源电压：30V
最大连续漏极电流：3.1A
导通电阻（Rds(on)）：150mΩ（典型值，在Vgs=4.5V时）
栅极电荷：2.9nC（典型值）
总功耗：370mW
工作温度范围：-55℃至+150℃
封装形式：SOT-23-3L
1. 超低导通电阻，能够有效降低传导损耗，提高系统效率。
2. 支持低至1.8V的逻辑电平驱动，非常适合便携式设备及电池供电的应用。
3. 快速开关速度，减少开关损耗。
4. 小型化封装（SOT-23-3L），节省PCB空间。
5. 高可靠性和耐用性，适应恶劣的工作环境。
6. 符合RoHS标准，环保无铅设计。
1. 手机和平板电脑中的电源管理模块。
2. 开关电源（SMPS）、DC/DC转换器和降压稳压器。
3. 电池保护电路和负载开关。
4. 电机驱动、LED驱动和其他小型负载控制。
5. 数据通信设备中的信号切换和保护。
6. 便携式电子设备中的功率管理和散热优化方案。
IRLML0040TRPBF, IRLML6402TRPBF, AO3400A
