时间：2022/9/28 14:28:26
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INFINEON IRLML0030TRPBF 晶体管, MOSFET, N沟道, 5.3 A, 30 V, 0.022 ohm, 10 V, 1.7 VN 通道功率 MOSFET，30V，Infineon
INFINEON IRLML0030TRPBF 晶体管, MOSFET, N沟道, 5.3 A, 30 V, 0.022 ohm, 10 V, 1.7 VN 通道功率 MOSFET，30V，Infineon
Infineon 系列分离式 HEXFET 功率 MOSFET 包括 N 通道设备，采用表面安装和引线封装。 形状系数可解决大多数板布局和热设计挑战问题。 在整个范围内，基准导通电阻减少了传导损耗，让设计人员可以提供最佳系统效率。
Infineon 提供庞大且全面的 MOSFET 设备组合，其中包括 CoolMOS、OptiMOS 和 StrongIRFET 系列。它们提供同类最佳性能，实现更高效率、功率密度和成本效益。需要高质量和增强型保护功能的设计获益于符合 AEC-Q101 汽车工业标准的 MOSFET。
额定功率：1.3 W
针脚数：3
漏源极电阻：0.022 Ω
极性：N-Channel
耗散功率：1.3 W
阈值电压：1.7 V
输入电容：382 pF
漏源极电压(Vds)：30 V
连续漏极电流(Ids)：5.3A
上升时间：4.4 ns
输入电容(Ciss)：382pF @15V(Vds)
下降时间：4.4 ns
工作温度(Max)：150 ℃
工作温度(Min)：-55 ℃
耗散功率(Max)：1.3W (Ta)
安装方式：Surface Mount
引脚数：3
封装：SOT-23-3
长度：3.04 mm
宽度：1.4 mm
高度：1.02 mm
工作温度：-55℃ ~ 150℃ (TJ)
