时间：2025/8/4 19:41:16
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RGPSM202 是一款由 Rohm（罗姆）公司生产的 N 沟道功率 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），主要用于电源管理和功率控制应用。这款 MOSFET 具有低导通电阻（Rds(on)）特性，能够在高电流负载下实现高效的功率转换。RGPSM202 通常采用 SOP（Small Outline Package）封装，适用于各类 DC-DC 转换器、电池管理系统、电机驱动器以及负载开关电路。其设计目标是提供高可靠性和高效率，同时在紧凑的空间中实现优异的热性能。
类型：N 沟道 MOSFET
漏源电压（Vds）：20V
栅源电压（Vgs）：±12V
连续漏极电流（Id）：4A
导通电阻（Rds(on)）：最大 58mΩ @ Vgs=4.5V
功率耗散（Pd）：2W
工作温度范围：-55°C 至 +150°C
封装形式：SOP-8
RGPSM202 的核心特性之一是其低导通电阻（Rds(on)），这有助于减少导通状态下的功率损耗，提高系统效率。该器件在 4.5V 的栅极驱动电压下即可实现较低的 Rds(on)，使其适用于低电压驱动电路，如电池供电设备和便携式电子产品。此外，该 MOSFET 还具有良好的热稳定性，其 SOP-8 封装设计优化了散热性能，确保在高电流应用中保持稳定运行。
另一个显著特点是其较高的电流承载能力，在 20V 的漏源电压下，连续漏极电流可达 4A，这使得 RGPSM202 在小型功率应用中表现优异。栅极驱动电压范围为 ±12V，允许其与多种控制器或驱动 IC 兼容。此外，MOSFET 的工作温度范围宽广，从 -55°C 到 +150°C，使其适用于多种工业和汽车环境。
在可靠性方面，RGPSM202 具有良好的抗静电能力和过热保护特性，确保在复杂电磁环境中稳定运行。该器件的设计也支持快速开关操作，减少开关损耗，适用于高频 PWM 控制。此外，SOP-8 封装结构紧凑，适合高密度 PCB 设计，节省空间的同时也简化了装配流程。
RGPSM202 广泛应用于多个领域，包括但不限于电源管理、DC-DC 转换器、同步整流器、电池管理系统以及负载开关等。在 DC-DC 转换器中，它可作为高侧或低侧开关，实现高效的电压转换；在电池管理系统中，该器件可用于充放电控制和保护电路；在负载开关应用中，RGPSM202 可作为电子开关，实现对负载的快速控制。此外，该 MOSFET 也适用于马达驱动器、LED 照明调光电路、智能电表以及工业自动化控制系统等场合。其在汽车电子领域的应用也较为广泛，例如车载充电器、车身控制模块及传感器电源管理单元等。
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"RPSM202N",
"Si2302DS",
"AO3400",
"FDMS3602"
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