时间：2025/5/10 16:06:42
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IRLML0030是一款由英飞凌（Infineon）推出的N沟道逻辑电平MOSFET。该器件采用超小型DFN5060-10封装，非常适合用于空间受限的应用场景。它具有低导通电阻和快速开关速度的特点，适用于高效能的功率转换、负载开关和同步整流等应用领域。
这款MOSFET设计工作电压为30V，能够在较低的栅极驱动电压下实现高效的导通性能，特别适合锂电池供电系统中的电源管理任务。
最大漏源电压：30V
连续漏极电流：2.9A
导通电阻（Rds(on)）@Vgs=4.5V：70mΩ
导通电阻（Rds(on)）@Vgs=10V：45mΩ
栅极电荷：3.7nC
总电容（Ciss）：85pF
功耗：1.3W
工作温度范围：-55℃至+150℃
IRLML0030拥有极低的导通电阻，在Vgs为4.5V时仅为70mΩ，这使其在电池供电设备中表现优异，减少传导损耗并提高效率。
其小尺寸DFN5060-10封装形式不仅节省了PCB空间，还提供了出色的热性能。
此外，该器件支持高频率操作，配合其快速开关特性，广泛应用于便携式电子设备、消费类电子产品以及通信设备中的DC/DC转换器和负载开关电路。
由于其低栅极电荷和优化的开关时间，可以有效降低开关损耗，提升整体系统效率。
IRLML0030主要应用于便携式电子设备，如智能手机、平板电脑、笔记本电脑等的电源管理系统。
同时，它也适用于USB接口保护、音频放大器输出级控制、小型电机驱动、LED驱动电路以及各种需要紧凑型解决方案的场合。
在多通道功率分配和负载切换方面，该MOSFET表现出卓越的稳定性和可靠性。
IRLML6402
IRF7309
AO3400
