IRLM120ATF 是一款 N 沣道沟道功率 MOSFET,由英飞凌(Infineon)生产。该器件采用 TO-263 (DPAK) 封装形式,广泛用于需要高效能和低导通电阻的场景。
其设计目标是提供高电流驱动能力的同时,保持较低的功耗和较高的效率,适用于各种工业及消费类电子应用。
最大漏源电压:40V
连续漏极电流:50A
导通电阻(Rds(on)):4mΩ
栅极电荷:7nC
工作结温范围:-55℃ to 175℃
IRLM120ATF 的主要特性包括:
1. 极低的导通电阻(Rds(on)),有助于减少传导损耗并提高系统效率。
2. 高额定电流,能够支持大功率应用。
3. 超小型封装,便于在有限空间内进行电路布局。
4. 较高的工作温度范围,确保在恶劣环境下仍具有良好的稳定性。
5. 快速开关性能,适合高频应用环境。
6. 符合 RoHS 标准,环保无铅设计。
IRLM120ATF 常见的应用领域包括:
1. 开关电源(SMPS)中的同步整流器。
2. 电机控制和驱动电路。
3. LED 照明系统的驱动器。
4. 工业自动化设备中的功率管理模块。
5. 电池管理系统(BMS)。
6. 汽车电子中的负载开关和 DC/DC 转换器。
IRLZ44N, IRFZ44N