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IRLM120ATF 发布时间 时间:2025/7/10 12:21:53 查看 阅读:17

IRLM120ATF 是一款 N 沣道沟道功率 MOSFET,由英飞凌(Infineon)生产。该器件采用 TO-263 (DPAK) 封装形式,广泛用于需要高效能和低导通电阻的场景。
  其设计目标是提供高电流驱动能力的同时,保持较低的功耗和较高的效率,适用于各种工业及消费类电子应用。

参数

最大漏源电压:40V
  连续漏极电流:50A
  导通电阻(Rds(on)):4mΩ
  栅极电荷:7nC
  工作结温范围:-55℃ to 175℃

特性

IRLM120ATF 的主要特性包括:
  1. 极低的导通电阻(Rds(on)),有助于减少传导损耗并提高系统效率。
  2. 高额定电流,能够支持大功率应用。
  3. 超小型封装,便于在有限空间内进行电路布局。
  4. 较高的工作温度范围,确保在恶劣环境下仍具有良好的稳定性。
  5. 快速开关性能,适合高频应用环境。
  6. 符合 RoHS 标准,环保无铅设计。

应用

IRLM120ATF 常见的应用领域包括:
  1. 开关电源(SMPS)中的同步整流器。
  2. 电机控制和驱动电路。
  3. LED 照明系统的驱动器。
  4. 工业自动化设备中的功率管理模块。
  5. 电池管理系统(BMS)。
  6. 汽车电子中的负载开关和 DC/DC 转换器。

替代型号

IRLZ44N, IRFZ44N

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IRLM120ATF参数

  • 标准包装4,000
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 单
  • 系列-
  • FET 型MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET 特点标准型
  • 漏极至源极电压(Vdss)100V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C2.3A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C220 毫欧 @ 1.15A,5V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)2V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs15nC @ 5V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds440pF @ 25V
  • 功率 - 最大2.7W
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳TO-261-4,TO-261AA
  • 供应商设备封装SOT-223-3
  • 包装带卷 (TR)