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RDD020N50TL 发布时间 时间:2025/11/8 3:59:00 查看 阅读:5

RDD020N50TL是一款由安森美(onsemi)生产的高性能高压MOSFET(金属-氧化物半导体场效应晶体管),专为高效率功率转换应用设计。该器件采用先进的超级结(Super Junction)技术,能够在保持低导通电阻的同时实现极高的击穿电压,从而显著提升系统效率并降低功耗。RDD020N50TL的额定电压为500V,典型导通电阻RDS(on)仅为0.2Ω(在特定栅极驱动条件下),这使其非常适合用于需要高效能和紧凑设计的电源系统中。该MOSFET封装于TO-220FP或类似的通孔封装中,具备良好的热性能和机械稳定性,适用于工业级工作温度范围(-55°C至150°C)。其设计目标是满足现代开关电源、光伏逆变器、LED照明驱动以及电机控制等对效率、可靠性和空间利用有严格要求的应用场景。
  RDD020N50TL通过优化电荷平衡结构,在高频开关操作下仍能保持较低的开关损耗和导通损耗,有助于减小散热器尺寸甚至实现无风扇设计。此外,该器件具有较强的抗雪崩能力和优良的dv/dt抗扰度,提升了系统在异常工况下的鲁棒性。其栅极阈值电压经过精密控制,确保与标准驱动电路兼容,并支持快速开启和关断,减少交叉导通风险。总体而言,RDD020N50TL是一款面向中高端功率电子领域的关键元器件,适用于追求高能效、小型化和高可靠性的电力电子设计。

参数

型号:RDD020N50TL
  制造商:onsemi (安森美)
  类型:N沟道MOSFET
  最大漏源电压(VDS):500V
  最大连续漏极电流(ID):17A
  脉冲漏极电流(IDM):68A
  最大栅源电压(VGS):±30V
  导通电阻(RDS(on)):0.2Ω @ VGS=10V
  栅极电荷(Qg):典型值约60nC
  输入电容(Ciss):典型值约1100pF
  输出电容(Coss):典型值约180pF
  反向恢复时间(trr):典型值约45ns
  工作结温范围(Tj):-55°C 至 +150°C
  封装形式:TO-220FP

特性

RDD020N50TL采用安森美独有的超级结(Super Junction)技术,这种结构通过交替排列P型和N型掺杂区域,实现了在高耐压条件下极低的导通电阻。这一技术突破打破了传统垂直DMOS器件中RDS(on)与击穿电压之间的线性关系,使得在500V额定电压下仍能达到仅0.2Ω的超低RDS(on),极大降低了导通损耗,提高了整体系统效率。该特性尤其适用于高功率密度设计,如服务器电源、通信电源和太阳能微型逆变器等对能效要求严苛的应用。
  器件具备出色的开关性能,得益于优化的栅极设计和低寄生参数,其总栅极电荷Qg典型值约为60nC,输入电容Ciss约为1100pF,这些参数保证了在高频开关应用中所需的快速响应能力,同时减少了驱动电路的负担。较低的输出电容Coss(约180pF)也意味着更少的能量存储在开关节点上,从而降低了开关过程中的能量损耗,特别是在硬开关拓扑如反激式、正激式和LLC谐振转换器中表现优异。
  此外,RDD020N50TL具有优异的热稳定性和可靠性。TO-220FP封装提供了良好的散热路径,结合芯片本身的低热阻特性,能够有效将内部热量传导至外部散热器,维持安全的工作结温。该器件支持宽泛的结温操作范围(-55°C至+150°C),可在恶劣环境条件下稳定运行。内置的体二极管具有较快的反向恢复时间(trr约45ns),可减少反向恢复带来的尖峰电压和电磁干扰,提升系统EMI性能。综合来看,RDD020N50TL在效率、热管理、开关速度和可靠性方面达到了高度平衡,是现代高效电源系统中的理想选择。

应用

RDD020N50TL广泛应用于各类中高功率开关电源系统中,尤其是在追求高效率和高功率密度的设计中表现出色。它常被用作主开关器件出现在AC-DC适配器、工业电源模块、服务器电源单元(PSU)以及电信整流器中,尤其是在连续导通模式(CCM)PFC(功率因数校正)电路中作为升压开关使用,凭借其低RDS(on)和高耐压特性,显著提升PFC级的整体效率。
  在可再生能源领域,该器件适用于光伏(PV)微型逆变器和直流优化器,其中需要将太阳能板输出的直流电压高效地进行升压或逆变处理,RDD020N50TL的高效率和高可靠性确保了长期户外运行的稳定性。同时,它也被用于LED恒流驱动电源,特别是在大功率LED照明系统中,作为初级侧开关以实现精确的电流调节和高效的能量转换。
  此外,该MOSFET还可用于电机驱动应用,如家用电器中的压缩机或风扇控制,以及工业自动化设备中的开关电源部分。由于其具备较强的抗雪崩能力和良好的dv/dt抗扰度,即使在负载突变或短路等异常工况下也能提供更高的系统安全性。总之,RDD020N50TL适用于所有需要500V耐压等级、低导通损耗和高开关频率的功率转换场景,是实现绿色节能电源解决方案的关键组件之一。

替代型号

FQP20N50C
  STP20NM50FD
  IPB020N50C3
  SPW20N50C3

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RDD020N50TL参数

  • 现有数量0现货
  • 价格2,500 : ¥4.83815卷带(TR)
  • 系列*
  • 包装卷带(TR)
  • 产品状态不适用于新设计
  • FET 类型-
  • 技术-
  • 漏源电压(Vdss)-
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)-
  • 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)-
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)-
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)-
  • 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)(最大值)-
  • Vgs(最大值)-
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)-
  • FET 功能-
  • 功率耗散(最大值)-
  • 工作温度-
  • 安装类型-
  • 供应商器件封装-
  • 封装/外壳-