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IRLL110TRPBF 发布时间 时间:2025/4/30 19:26:50 查看 阅读:16

IRLL110TRPBF 是一款 N 沣道沟道功率场效应晶体管(MOSFET),由 Vishay 公司生产。该器件采用 TO-252 封装形式,适用于各种功率开关和驱动应用。IRLL110TRPBF 的设计目标是提供高效率、低导通电阻和快速开关特性,使其非常适合用于 DC-DC 转换器、电机驱动、负载切换和其他功率管理电路。
  这款 MOSFET 的主要特点是其较低的导通电阻 (Rds(on)) 和较高的电流处理能力,同时具备良好的热性能以确保在高功率应用场景中的稳定性。

参数

最大漏源电压:40V
  最大连续漏极电流:9.8A
  导通电阻:30mΩ
  栅极电荷:7nC
  开关时间:ton=18ns, toff=25ns
  封装形式:TO-252
  工作温度范围:-55℃ 至 +150℃

特性

IRLL110TRPBF 提供了非常低的导通电阻 (30mΩ),这有助于减少传导损耗并提高整体系统效率。此外,它的栅极电荷较小 (7nC),从而实现了更快的开关速度和更低的开关损耗。这些特性使得 IRLL110TRPBF 在高频开关应用中表现出色。
  该器件还具有较低的输入电容和输出电容,进一步提升了其动态性能。由于采用了 TO-252 封装,IRLL110TRPBF 可以有效地散发热量,从而提高了长时间运行时的可靠性。
  另外,它支持较宽的工作温度范围 (-55°C 至 +150°C),适合工业和汽车等对环境条件要求严格的场景。

应用

IRLL110TRPBF 常用于以下领域:
  1. 开关电源 (SMPS) 中的功率开关元件。
  2. 各类 DC-DC 转换器,例如降压或升压转换器。
  3. 电池管理系统中的负载切换控制。
  4. 工业自动化设备中的电机驱动。
  5. LED 驱动器和照明系统中的电流调节。
  6. 通信电源、消费电子和汽车电子中的功率管理模块。

替代型号

IRLML6402TRPBF, IRLZ44NTRPBF

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IRLL110TRPBF参数

  • 制造商Vishay
  • 产品种类MOSFET
  • 晶体管极性N-Channel
  • 汲极/源极击穿电压100 V
  • 闸/源击穿电压+/- 10 V
  • 漏极连续电流1.5 A
  • 电阻汲极/源极 RDS(导通)540 mOhms at 5 V
  • 配置Single Dual Drain
  • 最大工作温度+ 150 C
  • 安装风格SMD/SMT
  • 封装 / 箱体SOT-223
  • 封装Reel
  • 下降时间18 ns
  • 最小工作温度- 55 C
  • 功率耗散2000 mW
  • 上升时间47 ns
  • 工厂包装数量2500
  • 典型关闭延迟时间16 ns