时间：2025/4/28 16:45:48
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DMN2019UTS是安森美（ON Semiconductor）生产的N沟道增强型MOSFET。该器件采用小尺寸DFN封装，适用于需要高效能和高密度设计的应用场景。它具有低导通电阻、快速开关特性和出色的热性能，适合用于便携式设备、消费电子、通信系统以及计算机等领域的电源管理。
DMN2019UTS的额定电压为30V，能够满足大多数低压应用的需求，并且其超低的导通电阻有助于减少功率损耗，提高系统的整体效率。
最大漏源电压：30V
连续漏极电流：4.8A
导通电阻：5.5mΩ
栅极电荷：6nC
总电容：260pF
工作结温范围：-55℃至150℃
DMN2019UTS具备以下主要特性：
1. 极低的导通电阻，有助于降低功耗并提升转换效率。
2. 快速开关特性，适合高频应用。
3. 小型DFN封装，节省PCB空间。
4. 高可靠性设计，能够在恶劣环境下稳定运行。
5. 符合RoHS标准，环保无铅设计。
6. 优异的热性能，确保长时间工作的稳定性。
7. 可应用于同步整流、负载开关和DC-DC转换器等多种场合。
DMN2019UTS广泛应用于以下领域：
1. 消费类电子产品中的电源管理电路。
2. 移动设备中的负载开关。
3. 各种类型的DC-DC转换器。
4. 同步整流电路。
5. 计算机及外设中的高效能电源解决方案。
6. 通信设备中的信号切换与保护功能。
7. 电池管理系统中的关键组件。
DMN2020UFQ, DMN2019UFG, FDN340P
