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IRLL024NTRPBF 发布时间 时间:2025/6/30 21:16:25 查看 阅读:4

IRLL024NTRPBF 是一款来自 Infineon(原 International Rectifier)的 N 沣道场效应晶体管(MOSFET)。该器件采用逻辑电平驱动设计,具有低导通电阻和快速开关特性,适用于多种功率转换和电机驱动应用。它采用了 TO-252 (DPAK) 封装形式,适合表面贴装工艺。
  这款 MOSFET 的关键特点是其低导通电阻 Rds(on),能够在高电流密度下保持高效的功率传输。此外,由于其低栅极电荷和优化的开关性能,IRLL024NTRPBF 在高频应用中表现出色。

参数

最大漏源电压:60V
  连续漏极电流:18A
  导通电阻(Rds(on)):3.7mΩ(典型值,在 Vgs=10V 时)
  栅极电荷:19nC(典型值)
  总电容:1230pF(典型值)
  工作温度范围:-55°C 至 +175°C
  封装类型:TO-252 (DPAK)

特性

IRLL024NTRPBF 具有非常低的导通电阻,这使其非常适合于需要高效功率传输的应用场景。同时,它的栅极电荷较低,从而减少了开关损耗并提高了开关频率能力。该器件还具有优异的热稳定性,能够在较宽的工作温度范围内可靠运行。
  此外,作为逻辑电平 MOSFET,IRLL024NTRPBF 可以直接由微控制器或其他逻辑电路驱动,无需额外的栅极驱动电路,简化了系统设计并降低了成本。
  在电气保护方面,该器件具备较高的雪崩能量能力,能够承受一定程度的过载或短路情况,增强了系统的鲁棒性。

应用

IRLL024NTRPBF 广泛应用于多种功率电子领域,包括但不限于以下应用:
  1. 开关电源(SMPS)中的同步整流器
  2. DC/DC 转换器中的功率开关
  3. 电池管理系统中的负载开关
  4. 电动工具和家用电器中的电机驱动
  5. LED 照明驱动电路
  6. 工业自动化设备中的功率控制模块
  这些应用均得益于其低导通电阻、高效率以及简单易用的驱动特性。

替代型号

IRLR024PBF, IRLZ44N, FDP017N06Z

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IRLL024NTRPBF参数

  • 标准包装2,500
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 单
  • 系列HEXFET®
  • FET 型MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET 特点逻辑电平门
  • 漏极至源极电压(Vdss)55V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C3.1A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C65 毫欧 @ 3.1A,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)2V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs15.6nC @ 5V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds510pF @ 25V
  • 功率 - 最大1W
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳TO-261-4,TO-261AA
  • 供应商设备封装SOT-223
  • 包装带卷 (TR)
  • 其它名称IRLL024NPBFTRIRLL024NTRPBF-NDIRLL024NTRPBFTR-ND