产品型号：BR24T08FVM-WGTR
　　制造商：ROHM Semiconductor
　　存储容量：8 Kbit (1024 x 8)
　　接口类型：I2C / 2-wire Serial Interface
　　工作电压范围：1.7 V 至 5.5 V
　　通信速度：最高支持 3.4 Mbps（高速模式）
　　工作温度范围：-40°C 至 +85°C
　　封装类型：DFN2020-6 / SOT-26
　　写保护功能：硬件WP引脚支持
　　写入耐久性：10^6 次/字节
　　数据保持时间：100 年
　　存储器结构：1024 x 8 位阵列
　　页写入大小：16 字节
　　应答轮询支持：支持
　　自定时写入周期：典型值 5 ms

BR24T08FVM-WGTR具备多项先进的电气与功能特性，确保其在复杂应用环境中的高性能表现。首先，其宽电压工作范围（1.7V至5.5V）使得该芯片能够兼容多种电源系统，无论是使用3.3V还是5V供电的微控制器系统都能无缝对接，增强了系统的通用性和设计灵活性。其次，该器件完全兼容I2C总线协议，并支持标准模式（100kHz）、快速模式（400kHz）以及高速模式（最高达3.4MHz），极大地提升了数据传输效率，尤其适合需要频繁读写操作的实时监控系统或高速数据记录设备。
　　该芯片内部采用CMOS工艺制造，显著降低了静态和动态功耗，在待机电流方面表现优异，通常低于1μA，有助于延长电池供电设备的使用寿命。其写入耐久性高达100万次每字节，远超传统EEPROM器件，有效保障了长期运行中数据更新的可靠性。同时，数据保持时间长达100年，即使在断电状态下也能长期保存关键信息，适用于需长期归档的应用场景。
　　另一个重要特点是集成的硬件写保护功能。通过一个独立的WP（Write Protect）引脚，用户可以在外部将该引脚拉高或拉低来锁定整个存储区域，防止在上电、掉电或系统异常时发生误写或数据篡改，从而提高系统整体的安全性与稳定性。此外，该器件支持页写入模式，每次最多可写入16个字节，并具备片内自动定时的写入周期管理机制，无需主控MCU持续等待，减轻了处理器负担。
　　在抗干扰和可靠性方面，BR24T08FVM-WGTR采用了抗噪声设计，具备良好的电磁兼容性（EMC）性能，能在工业环境中抵抗一定程度的电噪声干扰。所有引脚均具备静电放电（ESD）防护能力，典型HBM模型可达±4kV，增强了器件在生产装配和实际使用中的鲁棒性。此外，该芯片符合RoHS环保标准，不含铅，适用于绿色电子产品的开发。

BR24T08FVM-WGTR广泛应用于各类需要非易失性数据存储的嵌入式系统中。在消费类电子产品领域，常用于智能手机、平板电脑、数码相机等设备中保存配置参数、校准数据或用户设置信息。在工业自动化系统中，该芯片可用于PLC控制器、远程I/O模块或传感器节点中存储设备ID、标定系数或运行日志，因其高耐用性和宽温特性，特别适合恶劣环境下的长期部署。
　　在汽车电子系统中，该器件适用于车身控制模块（BCM）、车载仪表盘、空调控制系统等子系统，用于存储个性化设置、故障码或里程信息。得益于其小尺寸封装和低功耗特性，也常见于便携式医疗设备如血糖仪、体温计或可穿戴健康监测设备中，用于记录患者数据或设备校准信息。
　　此外，在智能家居和物联网（IoT）设备中，例如智能电表、无线传感器网络节点、RFID读写器等，BR24T08FVM-WGTR作为可靠的本地存储单元，承担着身份识别、通信配置和状态缓存的功能。其高速I2C接口支持快速启动和数据交换，满足现代智能设备对响应速度的要求。在打印机、复印机等办公设备中，该芯片还用于存储墨盒信息、使用计数或固件补丁。
　　由于其具备硬件写保护和高抗干扰能力，该器件也被推荐用于安全敏感型应用，如门禁系统、加密狗或智能卡终端，防止关键数据被非法修改。总之，BR24T08FVM-WGTR凭借其高可靠性、宽电压适应能力和紧凑封装，已成为众多中小型存储需求场景的理想选择。

M24C08-DRMN3TP