2SK508 时间：2025/6/14 15:57:39 阅读：5

2SK508是一种N沟道硅栅场效应晶体管（MOSFET），广泛应用于高频放大器、射频开关和低噪声放大电路等领域。该器件具有低噪声、高增益和出色的线性特性，适合于需要高性能的射频和微波应用。
　　2SK508以其卓越的电气性能著称，特别是在高频环境下的稳定性，使其成为许多射频工程师的首选元件。

参数

类型：N沟道 MOSFET
　　最大耗散功率：1.7W
　　漏源击穿电压：40V
　　栅源击穿电压：±30V
　　漏极电流（连续）：100mA
　　跨导：2200μS
　　噪声系数：1.2dB（典型值）
　　fT（特征频率）：3GHz
　　封装形式：TO-5

特性

2SK508具有以下显著特性：
　　1. 高跨导值，提供优秀的增益性能。
　　2. 极低的噪声系数，适用于对信号质量要求较高的场景。
　　3. 高fT值，确保在高频应用中的出色表现。
　　4. 稳定的工作特性，在宽温度范围内保持一致的性能。
　　5. 小型化设计，便于集成到紧凑型射频电路中。

应用

2SK508主要应用于以下领域：
　　1. 射频放大器设计，包括低噪声放大器（LNA）和功率放大器。
　　2. 射频开关电路，用于通信设备中的信号切换。
　　3. 高频振荡器，为无线通信系统提供稳定的信号源。
　　4. 测试测量仪器，例如频谱分析仪和网络分析仪。
　　5. 卫星通信和雷达系统中的关键元件。
　　6. 业余无线电爱好者项目中的核心器件。