IRLIZ44N 时间：2025/12/26 18:25:51 阅读：14

IRLIZ44N是一款由Infineon Technologies（英飞凌）生产的N沟道功率MOSFET，广泛应用于开关电源、电机控制、DC-DC转换器以及各种高电流开关场合。该器件采用先进的沟槽技术制造，具备低导通电阻、高开关速度和优良的热稳定性等特点。IRLIZ44N特别适用于需要高效能和低功耗设计的应用场景。其封装形式为TO-220AB，具有良好的散热性能，能够在较高的环境温度下稳定工作。该MOSFET是逻辑电平驱动型器件，意味着它可以在较低的栅极驱动电压（如4.5V至10V）下实现充分导通，因此非常适合与微控制器或其他低电压逻辑电路直接接口，无需额外的电平转换或驱动电路。此外，IRLIZ44N内置了续流二极管（体二极管），可在感性负载关断时提供电流回路，保护器件免受反向电压冲击。这款MOSFET在工业控制、汽车电子、消费类电源设备中均有广泛应用，是一款成熟且可靠的功率开关元件。

参数

型号：IRLIZ44N
　　类型：N沟道MOSFET
　　最大漏源电压（Vds）：55V
　　最大连续漏极电流（Id）：66A
　　最大脉冲漏极电流（Idm）：220A
　　导通电阻（Rds(on)）：28mΩ（@ Vgs=10V）
　　导通电阻（Rds(on)）：35mΩ（@ Vgs=4.5V）
　　栅极阈值电压（Vgs(th)）：1V~2V
　　栅源电压范围（Vgs）：±20V
　　输入电容（Ciss）：约1950pF（@ Vds=25V）
　　输出电容（Coss）：约510pF（@ Vds=25V）
　　反向恢复时间（trr）：约47ns
　　工作结温范围（Tj）：-55°C ~ +175°C
　　封装形式：TO-220AB

特性

IRLIZ44N采用了英飞凌成熟的沟槽栅技术，这种结构显著降低了器件的导通电阻Rds(on)，从而减少了导通状态下的功率损耗，提高了系统整体效率。特别是在大电流应用中，低Rds(on)意味着更小的发热和更高的能效表现。该器件在Vgs=10V时Rds(on)仅为28mΩ，在Vgs=4.5V时也能达到35mΩ，这使其成为逻辑电平驱动的理想选择，能够直接由5V微控制器IO口驱动，简化了外围驱动电路的设计。此外，其高达66A的连续漏极电流能力使其适用于驱动电机、继电器、LED阵列等高功率负载。
　　该MOSFET具备优异的开关特性，输入电容和输出电容相对较低，配合快速的开关响应时间，有助于实现高频开关操作，适用于开关电源和DC-DC变换器等高频应用场景。其反向恢复时间较短，体二极管性能良好，能够在感性负载切断时快速释放储能，减少电压尖峰和电磁干扰，提升系统可靠性。同时，器件具有较高的雪崩能量承受能力，增强了在异常工况下的鲁棒性。
　　IRLIZ44N的工作结温可达+175°C，表明其具有出色的热稳定性，适合在高温环境下长期运行。TO-220AB封装不仅便于安装散热片，还提供了良好的电气隔离和机械强度。该器件符合RoHS环保标准，支持无铅焊接工艺，适用于现代绿色电子产品制造。其坚固的结构设计和稳定的电气性能，使其在工业自动化、汽车电子、电源适配器等领域广受欢迎。

应用

IRLIZ44N广泛应用于多种电力电子系统中，尤其适合需要高效率、高电流开关能力的场合。在开关电源（SMPS）设计中，常用于同步整流或主开关器件，以提高转换效率并降低温升。在DC-DC升压或降压转换器中，作为主功率开关管，能够有效处理数十安培级别的负载电流，适用于笔记本电脑适配器、通信电源模块等设备。
　　在电机驱动领域，IRLIZ44N可用于H桥电路中的上下桥臂开关，控制直流电机的正反转和调速，常见于电动工具、家用电器（如洗衣机、吸尘器）、机器人控制系统等。由于其逻辑电平驱动特性，可直接与PWM输出引脚连接，简化驱动电路设计。
　　此外，该器件也适用于电池管理系统（BMS）、LED照明驱动电源、逆变器、UPS不间断电源等高可靠性电源系统。在汽车电子中，可用于车灯控制、风扇驱动、小型泵类负载控制等12V或24V车载系统。其高耐用性和宽温度范围适应性，使其在恶劣工作环境中依然保持稳定性能。