时间：2025/9/14 23:20:34
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BUK7Y59-60E是一款由NXP Semiconductors（恩智浦半导体）制造的N沟道增强型功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），主要用于高功率开关应用。该器件具有高耐压、低导通电阻以及出色的热稳定性，适用于如电源转换、电机控制、工业自动化等需要高效能功率管理的场合。
类型：N沟道MOSFET
漏源电压（Vds）：600V
连续漏极电流（Id）：15A（在Tc=100℃）
导通电阻（Rds(on)）：典型值为0.45Ω
栅极阈值电压（Vgs(th)）：2V至4V
最大功耗（Ptot）：50W
工作温度范围：-55℃至+150℃
封装形式：TO-220AB
BUK7Y59-60E采用了先进的高压技术，具备出色的耐用性和稳定性，适用于高温和高压环境下的应用。其低导通电阻确保了在导通状态下具有较低的功率损耗，从而提高了整体系统效率。该器件还具备良好的热管理性能，能够在高负载条件下保持较低的温度上升，从而延长使用寿命。
此外，BUK7Y59-60E内置了快速恢复二极管，有助于减少开关过程中的反向恢复时间，从而进一步提高系统的动态性能。其封装形式为TO-220AB，便于安装和散热，并且与常见的功率MOSFET封装兼容，方便设计人员进行电路设计和布局。
这款MOSFET在设计上还优化了雪崩能量耐受能力，能够承受瞬时高压冲击，从而提高系统的可靠性和安全性。此外，其栅极驱动要求较低，适用于常见的驱动电路设计，降低了驱动电路的复杂性和成本。
BUK7Y59-60E广泛应用于各类高功率电子设备中，例如交流/直流电源适配器、不间断电源（UPS）、工业电机驱动、电焊设备、照明控制系统以及高功率充电器等。由于其高可靠性和良好的热性能，它也适用于需要长时间运行的工业控制系统和自动化设备中的功率开关应用。
STP15NK60Z, FQA16N60C, IRFBC40
