IRLIZ24N 时间：2025/12/26 18:35:57 阅读：12

IRLIZ24N是一款由Infineon Technologies（英飞凌）生产的N沟道功率MOSFET，广泛应用于开关电源、电机控制、DC-DC转换器以及其他需要高效功率切换的电子系统中。该器件采用先进的沟槽栅极和场截止技术，旨在提供低导通电阻（RDS(on)）、优异的开关性能以及良好的热稳定性。IRLIZ24N特别适用于高频率操作环境，能够在较小的封装内实现较高的电流处理能力，同时降低功耗，提高整体系统效率。其设计目标是满足现代电子设备对节能、小型化和高可靠性的要求，尤其适合用于汽车电子、工业控制和消费类电子产品中。该MOSFET通常采用TO-252（DPAK）封装，便于焊接与散热管理，具备较强的抗浪涌能力和耐用性，在严苛的工作条件下仍能保持稳定性能。

参数

型号：IRLIZ24N
　　类型：N沟道MOSFET
　　最大漏源电压（VDS）：60V
　　最大连续漏极电流（ID）：190A（在TC=25°C时）
　　脉冲漏极电流（IDM）：600A
　　最大栅源电压（VGS）：±20V
　　导通电阻RDS(on)：max 2.4mΩ @ VGS=10V, ID=95A
　　导通电阻RDS(on)：max 3.2mΩ @ VGS=4.5V, ID=95A
　　阈值电压（VGS(th)）：2.0V ~ 3.0V
　　输入电容（Ciss）：约7000pF @ VDS=30V
　　输出电容（Coss）：约1800pF
　　反向恢复时间（trr）：典型值15ns
　　二极管正向电压（VSD）：1.2V @ IS=190A
　　工作结温范围（Tj）：-55°C 至 +175°C
　　封装形式：TO-252 (DPAK)

特性

IRLIZ24N具备极低的导通电阻，这使其在大电流应用中能够显著减少传导损耗，从而提升系统能效并降低温升。其RDS(on)在VGS=10V时最大仅为2.4mΩ，在同类60V N沟道MOSFET中处于领先水平，有助于实现更高功率密度的设计。
　　该器件采用了英飞凌先进的OptiMOS?技术，针对高频开关应用进行了优化，具有较低的栅极电荷（Qg）和米勒电荷（Qgd），从而减少了驱动损耗和开关过渡时间，提高了电源系统的动态响应能力与效率。
　　IRLIZ24N还具备出色的热性能，得益于其TO-252封装结构和内部芯片设计，能够有效将热量传递至PCB或散热器，支持长时间高负载运行。其高达175°C的最大结温允许在高温环境中使用，增强了产品的环境适应性。
　　此外，该MOSFET内置了快速体二极管，具有较低的反向恢复电荷（Qrr）和较短的反向恢复时间（trr），可有效抑制开关过程中的电压尖峰和电磁干扰（EMI），适用于硬开关和同步整流等拓扑结构。
　　器件还具备良好的抗雪崩能力，能够承受一定的瞬态过压冲击，提高了系统在异常工况下的可靠性。其栅极耐压可达±20V，具备一定的过压容忍度，配合适当的驱动电路可确保长期稳定运行。整体而言，IRLIZ24N是一款高性能、高可靠性的功率MOSFET，适用于对效率和空间有严格要求的应用场景。

应用

IRLIZ24N常用于各类高效率开关电源系统中，如服务器电源、通信电源和工业电源模块，作为主开关管或同步整流管使用，以降低导通损耗并提升转换效率。在DC-DC降压变换器（Buck Converter）中，该器件可用于高侧或低侧开关，尤其适合大电流输出的应用，例如CPU供电、GPU供电等板级电源设计。
　　在电机驱动领域，包括直流无刷电机（BLDC）控制器和电动工具驱动电路中，IRLIZ24N凭借其高电流承载能力和快速开关特性，能够实现精确的PWM调速控制，并减少发热问题。
　　在汽车电子方面，该器件可用于车载充电机（OBC）、DC-DC转换器、电池管理系统（BMS）以及各种车载辅助电源系统，满足汽车级对温度范围和可靠性的严苛要求。
　　此外，IRLIZ24N也适用于逆变器、UPS不间断电源、太阳能微逆变器、LED驱动电源等功率电子设备中，作为核心开关元件发挥关键作用。其TO-252封装便于自动化贴装和回流焊工艺，适合大规模生产制造。