IRLIZ24A 时间：2025/12/29 14:58:54 阅读：12

IRLIZ24A 是一款由 Infineon Technologies（英飞凌科技）生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）。该器件专为高效率、高性能的电源管理和功率转换应用而设计，具有低导通电阻、高耐压和良好的热性能。IRLIZ24A 适用于多种电源系统，如 DC-DC 转换器、负载开关、电机控制和电池管理系统等。

参数

类型：N 沟道 MOSFET
　　漏源电压（VDS）：60V
　　栅源电压（VGS）：±20V
　　连续漏极电流（ID）：78A（在 25°C）
　　脉冲漏极电流（IDM）：310A
　　导通电阻（RDS(on)）：最大 14.8mΩ（在 VGS=10V）
　　封装类型：TO-252（DPAK）
　　工作温度范围：-55°C 至 +175°C

特性

IRLIZ24A 的主要特性之一是其非常低的导通电阻（RDS(on)），这有助于降低导通损耗并提高系统效率。该器件在 10V 栅极驱动电压下工作时，RDS(on) 最大为 14.8mΩ，确保了在高电流应用中仍能保持较低的功率损耗。
　　另一个显著特点是其高耐压能力，漏源电压（VDS）额定值为 60V，使其适用于中高功率电源转换应用。此外，IRLIZ24A 的栅极驱动电压范围较宽（通常在 4.5V 至 20V 之间），支持与多种驱动电路兼容。
　　该器件采用 TO-252（DPAK）封装，具备良好的热管理性能，能够有效散热并提高长期运行的可靠性。其封装设计适合表面贴装工艺（SMT），适用于自动化生产和紧凑型电源设计。
　　IRLIZ24A 还具备高雪崩耐量和抗短路能力，确保在恶劣工作条件下仍能稳定运行。其内部结构优化减少了寄生电感，有助于降低开关损耗并提升高频应用的性能。
　　该 MOSFET 在工业级温度范围内（-55°C 至 +175°C）工作，适用于各种严苛环境下的应用，如汽车电子、工业自动化和通信设备。

应用

IRLIZ24A 广泛应用于多种电力电子系统中。在 DC-DC 转换器中，它作为主开关元件，能够高效地实现电压转换，特别适用于高电流输出的同步整流拓扑。在电机驱动和负载开关应用中，IRLIZ24A 凭借其低导通电阻和高电流承载能力，可以有效控制负载并减少能耗。
　　该器件也常用于电池管理系统（BMS）中，作为充放电路径的控制开关，确保电池组的安全和高效运行。此外，IRLIZ24A 还适用于电源管理模块、LED 驱动器、电源适配器以及各种工业控制设备。
　　在汽车电子领域，IRLIZ24A 适用于车载充电系统、电动助力转向系统（EPS）和车身控制模块等应用。其高可靠性和宽温度范围特性使其在严苛的汽车环境中表现优异。
　　由于其优异的热性能和封装兼容性，IRLIZ24A 也适用于高密度电源设计和自动化生产流程中的表面贴装应用。