类型：N沟道MOSFET
　　最大漏源电压（Vds）：200V
　　最大漏极电流（Id）：9A（在25°C）
　　导通电阻（Rds(on)）：0.3Ω
　　最大功耗（Ptot）：50W
　　工作温度范围：-55°C至+150°C
　　封装类型：TO-220
　　栅极阈值电压（Vgs(th)）：4V（典型值）
　　输入电容（Ciss）：600pF
　　漏源击穿电压：200V

IRFF630具有多项优良的电气和物理特性，适用于高要求的功率控制应用。
　　首先，该MOSFET的漏源耐压高达200V，能够承受较高的电压应力，适用于中高功率电源系统。漏极电流最大可达9A，在适当的散热条件下可以满足大电流开关的需求。
　　其次，IRFF630的导通电阻（Rds(on)）为0.3Ω，这有助于降低导通损耗，提高系统的整体效率。低导通电阻还意味着在导通状态下，器件的压降较小，减少了热量的产生。
　　此外，IRFF630采用了TO-220封装，具有良好的散热性能，适用于需要高可靠性和稳定性的工业级应用。该封装形式便于安装在散热片上，确保在高负载条件下仍能保持较低的工作温度。
　　IRFF630的栅极阈值电压为4V左右，这意味着它可以在标准逻辑电平（如5V）下工作，适用于微控制器（MCU）或驱动IC直接控制的应用场景。
　　该器件还具备快速开关特性，输入电容仅为600pF，因此在高频开关应用中表现出色，有助于减少开关损耗并提高响应速度。
　　IRFF630的工作温度范围为-55°C至+150°C，具备良好的环境适应性，可在极端温度条件下稳定工作。

IRFF630广泛应用于多种功率电子系统中，例如：
　　? 开关电源（SMPS）中的主开关或同步整流器件
　　? 电机驱动器和直流电机控制电路
　　? DC-DC转换器（如升压、降压、反相转换器）
　　? 电池充电器和管理系统
　　? 工业自动化设备和PLC模块
　　? 家用电器中的功率控制部分（如电磁炉、洗衣机等）
　　? LED照明驱动和调光控制电路
　　? 逆变器和不间断电源（UPS）系统
　　? 电动车和电动工具的功率控制模块

IRF630、IRF540、IRF840、STP9NK60Z、2SK2647