时间：2025/7/11 23:59:03
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IRLIZ14G是英飞凌（Infineon）公司生产的一款N沟道逻辑电平增强型MOSFET。该器件采用TO-263封装形式，广泛应用于需要低导通电阻和快速开关特性的电路中。其典型应用包括开关电源、DC-DC转换器、电机驱动以及负载开关等。这款MOSFET以其较低的栅极驱动电压要求而著称，非常适合电池供电设备和其他低功耗系统。
IRLIZ14G的特点在于它的低导通电阻Rds(on)，这使其在高频工作条件下能够保持较高的效率并减少功率损耗。
最大漏源电压：55V
最大连续漏电流：9.2A
最大脉冲漏电流：36A
导通电阻（Rds(on)）：20mΩ@Vgs=10V
栅极电荷：8nC
输入电容：1270pF
总功耗：12W
工作温度范围：-55°C to +175°C
IRLIZ14G具有非常低的导通电阻，在Vgs为10V时仅为20毫欧姆。这使得器件在高电流应用中产生的热量较少，从而提高整体系统的效率。
它还支持低至4.5V的栅极驱动电压，这对于使用锂电池或其他低电压电源供电的应用来说非常重要。此外，该器件具备优秀的热稳定性，能够在高达175摄氏度的工作环境下可靠运行。
由于其快速开关性能，IRLIZ14G非常适合于高频开关电源及PWM控制场合。同时，其封装设计简化了散热管理，并有助于实现紧凑型电路板布局。
IRLIZ14G常用于消费电子产品的电源管理部分，例如笔记本电脑适配器、手机充电器等中的同步整流电路。
在工业领域，它可以作为各种电机控制器的核心组件之一，帮助调节速度或方向。另外，在电信设备里，此MOSFET可用于实现高效的直流-直流转换。
对于汽车电子而言，IRLIZ14G能参与引擎控制单元、照明系统以及电动车窗等功能模块的设计与构建。
IRLZ44N, IRLB8721PBF
