IRLI3803P 时间：2025/7/3 17:18:24 阅读：14

IRLI3803P是Infineon（英飞凌）推出的一款N沟道逻辑增强型功率MOSFET。该器件具有低导通电阻、高开关速度和出色的热性能，适用于各种功率转换和开关应用。其封装形式为TO-252 (DPAK)，适合表面贴装技术（SMT），广泛用于工业和消费类电子领域。

参数

最大漏源电压：60V
　　连续漏极电流：10A
　　导通电阻：7mΩ（典型值，在Vgs=10V时）
　　栅极-源极电压：±20V
　　功耗：54W
　　工作温度范围：-55℃至+150℃

特性

IRLI3803P是一款高性能的MOSFET，具备以下关键特性：
　　1. 超低导通电阻（Rds(on)），在Vgs=10V时仅为7mΩ，能够显著降低功率损耗。
　　2. 支持高电流操作，额定连续漏极电流可达10A，适用于大功率应用。
　　3. 高开关速度，能够有效减少开关损耗并提升效率。
　　4. 具备优异的热稳定性，能在极端温度条件下正常工作（-55℃至+150℃）。
　　5. 封装采用TO-252（DPAK），适合自动化表面贴装工艺，提高生产效率。
　　6. 提供良好的静电放电（ESD）保护功能，确保器件可靠性。

应用

IRLI3803P适用于广泛的功率管理场景，包括但不限于：
　　1. 开关电源（SMPS）中的功率开关元件。
　　2. 直流-直流（DC-DC）转换器的核心开关器件。
　　3. 电机驱动电路中的功率级控制。
　　4. 工业设备中的负载开关和保护电路。
　　5. 消费类电子产品中的电池充电管理和保护电路。
　　6. 各种需要高效功率转换的应用场合。