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GA0805A681JXABP31G 发布时间 时间:2025/6/21 5:39:06 查看 阅读:3

GA0805A681JXABP31G 是一种基于砷化镓(GaAs)工艺的高功率射频放大器芯片,广泛应用于无线通信、雷达系统以及其他高频电子设备中。该器件具有出色的增益、效率和线性度表现,能够在高频环境下提供稳定的性能输出。
  其设计特别适合需要高功率密度的应用场景,例如基站发射机或军事通信系统中的信号放大模块。

参数

工作频率范围:7GHz-12GHz
  饱和输出功率:40dBm
  增益:15dB
  电源电压:12V
  静态电流:500mA
  封装形式:陶瓷气密封装
  工作温度范围:-55℃至+100℃

特性

GA0805A681JXABP31G 芯片采用了先进的砷化镓半导体技术,具备以下显著特点:
  1. 高频率范围支持:可覆盖从 7GHz 到 12GHz 的宽频带操作,满足多种高频应用需求。
  2. 强大的输出能力:在饱和状态下,能够提供高达 40dBm 的输出功率。
  3. 高效率:通过优化内部电路结构,在高功率输出时仍保持较高的能量转换效率。
  4. 稳定性好:即使在极端环境条件下,也能维持一致的性能表现。
  5. 低噪声设计:确保放大过程中引入的干扰最小化,从而提高整体系统的信噪比。

应用

该型号的射频放大器芯片主要适用于以下领域:
  1. 无线通信基础设施:如蜂窝网络基站、微波链路设备等。
  2. 军事与国防:包括雷达系统、卫星通信终端及电子对抗装备。
  3. 测试测量仪器:用于生成高质量的高频测试信号。
  4. 医疗成像设备:某些超声波或核磁共振系统可能需要用到类似的高频组件。

替代型号

GA0805A681JXABP32G, GA0805A681JXABP33G

GA0805A681JXABP31G参数

  • 现有数量0现货
  • 价格在售
  • 系列GA
  • 包装卷带(TR)
  • 产品状态在售
  • 电容680 pF
  • 容差±5%
  • 电压 - 额定50V
  • 温度系数C0G,NP0
  • 工作温度-55°C ~ 150°C
  • 特性-
  • 等级AEC-Q200
  • 应用汽车级
  • 故障率-
  • 安装类型表面贴装,MLCC
  • 封装/外壳0805(2012 公制)
  • 大小 / 尺寸0.079" 长 x 0.049" 宽(2.00mm x 1.25mm)
  • 高度 - 安装(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.057"(1.45mm)
  • 引线间距-
  • 引线样式-